東芝公司(TOKYO:6502)成功研發出一款適用于模擬功率半導體應用的靜電放電(ESD)保護器件，產品采用先進的0.13μm工藝技術制造，優化了晶體管結構，顯著提高了靜電放電特性。靜電放電保護魯棒性提高多達四倍，標準偏差僅為傳統結構的十二分之一。三維模擬分析也有助于東芝發現一種機制，優化晶體管結構，提高靜電放電魯棒性。東芝在2016年6月14日于捷克舉行的國際半導體研討會“ISPSD2016”上公布了這些創新成果。

注入來自人體或設備的靜電放電浪涌，有可能毀壞半導體器件，因為靜電放電電流引起硅材內局部溫度上升。需要靜電放電保護器件來保護內部電路。這對需要施加10V-100V電壓的模擬功率半導體器件來說尤為重要，這些半導體器件需要高額定電壓。在這種情況下，靜電放電保護器件必須確保大電流，進而導致芯片尺寸增大。縮小靜電放電保護器件尺寸成為讓芯片更為緊湊的一個問題。

通過靜電放電事件三維模擬分析，東芝發現，流經最高電場點的電流導致晶格溫度上升，進而導致靜電放電誘發的破壞。修改晶體管結構，將漏極低電阻區延伸向源極方向并抑制橫向硅電阻，將來自漏極底部的電流轉移向源極方向并從最高電場點將其分離。經發現，這一優化設計使靜電放電魯棒性提高多達四倍，而標準偏差減少到十二分之一。此外，該器件確保HBM* ±2000V所需的尺寸減少了68%。

東芝利用0.13μm工藝技術，提供先進的模擬流程平臺，可在該平臺嵌入CMOS、DMOS、雙極型晶體管等晶體管以及電阻器和電容器等無源器件。用戶可從以下三個流程平臺中選擇適用于每個應用的工藝：“BiCD-0.13”主要面向汽車（DMOS最高可達100V）；“CD-0.13BL”主要面向電機控制驅動器（DMOS最高可達60V）以及“CD-0.13”工藝主要面向電源管理IC （DMOS最高可達40V）。

東芝計劃于2017年推出采用CD-0.13工藝技術的產品并繼續積極將該工藝技術推廣至其他流程平臺，以提高靜電放電特性。

* HBM（人體模型）：指示靜電放電魯棒性的參數之一

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東芝于1875年在東京成立，如今已成為一家有著550家附屬公司的環球企業，全球擁有超過188,000名員工，年銷售額逾5.6萬億日元（500億美元）。（截至2016年3月31日。）