松下公司（Panasonic）日前宣布將推出業(yè)界最小的增強型[1]氮化鎵(GaN)[2]功率晶體管(X-GaN^TM)**封裝。GaN封裝采用8x8雙平面無引線(DFN)表面粘裝型封裝。可將該封裝安裝在傳統(tǒng)上難以安裝的極小區(qū)域，有助于降低工業(yè)和消費電子設備的功耗。

*:截至2015年5月18日，根據(jù)松下公司調查，該600-V增強型GaN功率晶體管的占用空間。

**:X-GaN是松下公司的商標。

增強型晶體管的擊穿電壓為600V，該產品實現(xiàn)200V/ns的高速開關和54—154mΩ的低導通電阻[3]。松下公司將于2015年7月啟動10A型(PGA26E19BV)和15A型(PGA26E08BV)產品樣品出貨。

功率晶體管是用于控制電源的半導體器件。GaN是性能卓越的半導體化合物之一。當將它應用于晶體管時，可實現(xiàn)比硅(Si)和碳化硅(4H-SiC)更卓越的開關性能和更高的擊穿電壓。

我們的傳統(tǒng)型GaN功率晶體管采用高導熱表面貼裝型封裝TO220（尺寸：15 x 9.9 x 4.6mm），然而該封裝還不夠小，而且電子設備印刷電路板上的安裝面積十分有限。

使用表面貼裝型封裝時，寄生電感[4]降低，因此，可在600V高電壓下以8 x 8 x 1.25mm的更小尺寸實現(xiàn)GaN功率晶體管的內在特征和出色的開關性能。功率晶體管正被快速引入電子設備中，它有助于降低能耗。

該產品將亮相2015年5月19-21日于德國紐倫堡舉行的2015年度電力轉換與智能運動展覽會(PCIM 2015)。

[產品特點]

1、其采用新開發(fā)的全球最小GaN表面貼裝型封裝DFN 8x8（8 x 8 mm x 1.25 mm，其占用空間僅為公司傳統(tǒng)TO-220封裝產品的43%），專為GaN功率晶體管優(yōu)化。

2、表面貼裝型封裝的采用降低了寄生電感，實現(xiàn)200V/ns的高速開關性能。

3、在6英寸硅襯底上實現(xiàn)的松下原創(chuàng)柵極注入晶體管(GIT)[5]實現(xiàn)了增強型模式。

GaN功率晶體管更便于應用于AC-DC電源裝置（功率因數(shù)校正、隔離DC-DC轉換器）、電池充電系統(tǒng)、PV功率調節(jié)器和EV逆變器。

松下公司擁有200項國內專利和180項海外專利，其中包括一些待審批的發(fā)明申請，例如，松下原創(chuàng)的GIT結構的基本專利US 8779438和利用常關操作的驅動系統(tǒng)的基本專利US 8299737。

這項工作部分受到日本新能源和工業(yè)技術發(fā)展組織(NEDO)之“節(jié)能技術項目戰(zhàn)略發(fā)展”計劃的支持。

[術語解釋]

[1] 增強型

增強型晶體管是一種單器件晶體管，其能夠實現(xiàn)常關特征，這是半導體器件的一種特征，當未向柵極施加電壓時，可以防止電流在源極和漏極之間流動。

[2] 氮化鎵(GaN)

氮化鎵是三五族半導體，具有較寬的能帶隙（價帶和導帶之間）。能帶隙較大的材料通常具有更高的擊穿電壓。

[3] 導通電阻

導通電阻為晶體管通電（導電狀態(tài)）時晶體管源極和漏極之間的電阻。

[4] 寄生電感

寄生電感是存在于電子元器件封裝中的意外電感分量。盡管這種電感對于頻率為50或60赫茲的電源裝置來說不是問題，但是它們可能是GaN電源裝置高速運行（工作頻率：幾百千赫茲到幾兆赫茲）的一個巨大障礙。

[5] 柵極注入晶體管(GIT)

GIT是一種最初由松下半導體解決方案公司研發(fā)的常關型GaN晶體管。新的工作原理基于空穴注入時漏極電流的增加，其被用于維持低導通電阻和增強型模式之間的兼容性。

關于松下

松下公司是一家致力于為消費電子產品、住宅、汽車、企業(yè)解決方案及器件行業(yè)的客戶開發(fā)各種電子技術和解決方案的全球領軍企業(yè)。自1918年成立以來，松下已將業(yè)務擴張至全球，目前在全世界范圍內共經營468家附屬公司和94家聯(lián)營公司。截至2015年3月31日，其合并凈銷售額達7.715萬億日元。松下致力于通過各部門的創(chuàng)新來追求新的價值，并努力運用公司的技術為客戶創(chuàng)造更美好的生活和世界。