近日，科銳公司（Cree, Inc. ，Nasdaq: CREE）推出業內最大功率連續波（CW）射頻氮化鎵（GaN）高電子遷移率（HEMT）晶體管，該晶體管采用雙扁平無引腳（DFN）封裝方式。該新型6 W和25 W器件主要針對的是成本敏感、功率小于100瓦的商用雷達和數據鏈路放大器市場，可在C和X波段有效替代效率較低的砷化鎵（GaAs）器件，也可有效替代天氣、海洋和監視等商用雷達所用的壽命較短的真空管器件。

基于科銳已經驗證的40 V、0.25µm柵長高頻工藝，Cree®氮化鎵DFN晶體管可將砷化鎵內部配備場效應晶體管（IMFET）的飽和輸出功率（PSAT）效率和增益提升2倍，而封裝尺寸僅為同等功率和頻率砷化鎵器件體積的1/20。在企業、點對點和機載通信網絡的大容量微波數據鏈路中，新的晶體管拓展了通信范圍，并提供2倍于砷化鎵放大器的線性效率。高效率為射頻器件設計人員提供了靈活性，可減少放大器的體積和重量，節約運行和整個壽命周期內的成本。

“多年以來，商用微波雷達發射器一直困擾于真空放大器有限的壽命，這導致巨大的維護成本。從歷史上看，大容量數據鏈路受限于砷化鎵IMFET的低效。”科銳公司的射頻銷售和市場部總監Tom Dekker 表示“通過以可以承受的價格提供卓越的效率和功率能力，我們的氮化鎵DFN晶體管首次在低功耗、成本敏感的商用系統中實現了對這些傳統技術的替代。”

新的DFN器件也可作為科銳公司的CGHV96100和CGHV96050F2全匹配場效應管的驅動而用于X波段，使得輸出級和驅動級晶體管能夠工作在同樣的電壓水平上，與混合電壓晶體管陣列相比，這帶來方便的規律的功率分配，可有效節約電路板空間。

CGHV1F006S（6 W）和CGHV1F025S（25 W）氮化鎵DFN晶體管已可用于C波段和X波段的試樣和設計參考。安捷倫公司的ADS和AWR 公司的Microwave Office仿真器也提供該器件的大信號模型。