國(guó)際整流器公司（IR，NYSE: IRF）推出兩款高性能R8抗輻射功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），優(yōu)選后用于宇航級(jí)負(fù)載點(diǎn)（POL）穩(wěn)壓器。新型R8的開發(fā)將為航天系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供小尺寸、輕量級(jí)和高效率產(chǎn)品。

新型R8邏輯級(jí)功率MOSFET利用溝道技術(shù)提供極低的導(dǎo)通電阻(RDS（on）),其典型值為12mΩ，全部柵極電荷(QG)的典型值為18nC，與已有方案相比，有效性能提高6%。IR HLNM87Y20SCS型器件擊穿電壓BVdss額定值20V，最大漏極電流（Id）額定值17A。新器件采用IR SMD 0.2新型表面貼裝型封裝，與現(xiàn)有SMD 0.5封裝方案相比，節(jié)省空間50%。在微電路設(shè)計(jì)方案中，還可提供TO-39型封裝形式或裸片形式。

IR公司的新產(chǎn)品具有電離總劑量（TID）300K拉德抗輻射特性，單粒子效應(yīng)（SEE）的單粒子翻轉(zhuǎn)（LET）閾值為81MeV-cm2/mg，Vgs額定值為12V。根據(jù)預(yù)期的設(shè)計(jì)軌道和輻射環(huán)境，R8 抗輻射MOSFET可以滿足使用壽命15年或更長(zhǎng)的任務(wù)要求。

供貨與價(jià)格

R8 MOSFET價(jià)格為每250個(gè)594美元。產(chǎn)品訂單立刻生效，價(jià)格會(huì)有變更。產(chǎn)品遵循美國(guó)出口管制法律法規(guī)。