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三菱電機開始發售SiC功率半導體模塊

2013-05-28 來源:微波射頻網 字號:

三菱電機株式會社日前開始發售3款SiC功率半導體模塊新產品。該產品采用新一代功率半導體材料SiC1,適用于使用SBD2的家電產品、工業設備及鐵路車輛設備等。因采用了SiC,從而為逆變器功率電子設備的進一步高效率化以及小型和輕量化作出了貢獻。

此外,家電用混合SiC DIPPFCTM3以及鐵路車輛用混合SiC模塊將在“PCIM2 Europe2013展”(5月14~16日于德國紐倫堡舉行)上展出。

※1  Silicon Carbide:碳化硅
※2  Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管
※3  DIPPFC:功率因數校正電路用的智能功率半導體模塊
※4  PCIMPower Conversion Intelligent Motion

三菱電機開始發售SiC功率半導體模塊

家電用SiC DIPPFC                   工業用混合SiC-IPM                 鐵路車輛用混合SiC模塊

概要

用途 產品名 型號 概要 樣品出廠
日期
家電產品 混合SiC DIPPFCTM PSH20L91B6-A 600V/20Arms
交錯式
5月9日
工業設備 混合SiC-IPM PMH200CS1D060 600V/200A6in1 5月9日
鐵路車輛 混合SiC模塊 CMH1200DC-34S 1700V/1200A2in1 5月9日

銷售目標

近年來,逆變器被廣泛用于空調冰箱等家電產品以及一般產業和鐵路車輛設備等領域。然而從能源有效利用的角度而言,對采用SiC材料的功率半導體模塊需求日漸高漲。該產品可以進一步大幅降低功率損耗,并實現高速開關。

迄今為止,本公司向市場大量供給了用于逆變器的低損耗功率半導體模塊。此次發售的3種二極管部搭載SiC-SBD的功率半導體模塊新產品,分別應用于空調等家電產品、伺服等工業設備、以及鐵路車輛設備用逆變器等鐵路產品等三個領域。

特點

1. 用于家電產品的SiC功率半導體模塊
混合SiC DIPPFCTM
?通過使用SiC-SBD減少恢復電流并降低干擾
?實現30kHz高頻開關并促進電抗器的小型化
?通過內置PFC5和驅動IC,減少安裝面積并簡化布線圖,使逆變器進一步小型化
?確保與現有產品“超小型DIPIPMTM”外形尺寸的兼容性
※5 Power Factor Correction功率因數校正

2.用于工業設備的SiC功率半導體模塊
混合SiC-IPM
?續流二極管使用SiC-SBD
?與現有產品6相比降低功率損耗約20%,有助于設備的小型及高效化
?確保與現有產品6引腳排列和外形尺寸的兼容性
?配置與現有產品6相同的保護功能
※6 本公司IPM S1系列  型號:PM200CS1D060

3.用于鐵路車輛的SiC功率半導體
混合SiC模塊
?續流二極管使用SiC-SBD
?與現有產品7相比降低功率損耗約30%,有助于設備的高效率化
?確保與現有產品7端子位置和外形尺寸等的兼容性
?適合鐵路應用的高可靠性設計
※7 本公司N系列IGBT 型號:CM1200DC-34N

環保考慮

符合歐盟成員國限制6種特定有害物質的RoHS8指令。
※8 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

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