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創(chuàng)毅成功推40納米TD-LTE終端基帶芯片WarpDrive5000

2011-11-02 來源:微波射頻網(wǎng) 字號:

    近日國內(nèi)領先的移動通信終端芯片解決方案及終端設備提供商創(chuàng)毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工藝 WarpDrive 5000芯片。該款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模,采用40納米工藝,兼容3GPP LTE 標準 (Release-9),采用超低功耗設計,支持多種上下行配比及同頻、異頻測量和切換,支持CAT4速率等級,下行高達150Mbps,值得一提的是該款產(chǎn)品是全球第一款支持先進的雙流波束賦形TM8傳輸技術的芯片。

    早在2007 年創(chuàng)毅就啟動了TD-LTE 終端基帶芯片研發(fā)項目。2010 年4 月創(chuàng)毅成功推出全球首枚TD-LTE 終端芯片與終端數(shù)據(jù)卡,并服務于2010 年上海世博會。2011年5月創(chuàng)毅入選由工信部組織的“6+1”城市TD-LTE 規(guī)模技術試驗網(wǎng)測試及建設,并在廣州,杭州,廈門,南京,深圳,與多家系統(tǒng)廠商展開測試。同時在GCF認證測試中與羅德,安奈特等國際廠商取得業(yè)內(nèi)領先的技術成果,并在深圳大運會中配合系統(tǒng)廠商成功展開4G業(yè)務演示。

    目前創(chuàng)毅視訊已經(jīng)三次流片成功TD-LTE芯片,并通過中移動研究院及工信部電信研究院的各項測試,成為國內(nèi)LTE芯片廠商的領跑者。

    隨著商用化進程的加速,TD-LTE得到國際上廣泛支持,將在印度,日本,俄羅斯,沙特等國家順利開展,目前全球已有超過200家運營商明確了LTE商用戰(zhàn)略,今年年底之前,將有73個LTE網(wǎng)絡進入試商用階段,LTE終端種類也已達到100款之多,涵蓋數(shù)據(jù)卡、平板電腦,智能手機等。

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