降頻變頻器與頻率合成器二合一芯片憑借意法半導(dǎo)體的制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)，
為設(shè)備廠商帶來低成本且兼具高性能及靈活性的射頻解決方案

中國(guó)，2011年5月6日橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款高集成度移動(dòng)通信基站芯片。全新STW82100B系列讓移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備制造商能夠以更低的成本滿足市場(chǎng)對(duì)更靈活且緊湊的下一代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)基站的需求。除無線基站外，新產(chǎn)品還能用于其它設(shè)備，包括射頻（RF）儀器和一般無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。

在移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)內(nèi)，消費(fèi)者對(duì)寬帶網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的需求正在高速增長(zhǎng)。移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商正在加快腳步推出具備更快數(shù)據(jù)速率（14.4Mbit/s或更高，HSPA/HSPA+）的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)。市場(chǎng)對(duì)具備更高速度的下一代無線通信標(biāo)準(zhǔn)3GPP-LTE的投資也持續(xù)增長(zhǎng)。市調(diào)機(jī)構(gòu)InfoneticsResearch的最新報(bào)告顯示，截至2014年底，LTE（長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)）基礎(chǔ)設(shè)施的市場(chǎng)規(guī)模將超過110億美元。

意法半導(dǎo)體的全新STW82100B系列符合設(shè)備廠商的高性能和低成本的要求，單片整合了射頻合成器與降頻轉(zhuǎn)換器等重要的移動(dòng)通信基站功能。經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證，這款I(lǐng)C適用于新的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，如LTE（長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)）。采用意法半導(dǎo)體的高質(zhì)量BiCMOS制程，新IC還能滿足移動(dòng)通信基站廠商全部的重要性能需求。意法半導(dǎo)體這款以先進(jìn)制程制造的芯片已被主要基站廠商廣泛采用。

意法半導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)FlavioBenetti表示：“STW82100B系列產(chǎn)品不但證明了利用硅鍺(SiGe)芯片可有效解決射頻應(yīng)用問題，并再次顯示意法半導(dǎo)體獨(dú)有的BiCMOS技術(shù)的無限潛力。意法半導(dǎo)體采用BiCMOS制程的產(chǎn)品已成功打入各個(gè)通信領(lǐng)域，例如為光纖通信應(yīng)用提供速度高達(dá)230GHzFT/ 280GHz FMAX的高速晶體管。”

STW82100B系列（STW82100B,STW82101B,STW82102B及STW82103B）以意法半導(dǎo)體經(jīng)過市場(chǎng)驗(yàn)證并被全球基站及其它無線應(yīng)用廣泛采用的射頻合成器IC（STW81102系列）為基礎(chǔ)。可支持不同的工作模式，為設(shè)計(jì)人員帶來很高的靈活性。在接收器端，該芯片可為每個(gè)天線通道提供一個(gè)專用的本振（LO）頻率發(fā)生器，或可用于更加傳統(tǒng)的天線分集系統(tǒng)。在發(fā)送器環(huán)回電路內(nèi)，其優(yōu)異的增益平坦度和內(nèi)置的10位數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）讓設(shè)計(jì)人員在驅(qū)動(dòng)外部PIN二極管時(shí)可實(shí)現(xiàn)最佳的信號(hào)校準(zhǔn)。

STW82100B的主要特性：

· 高輸入線性
· 8dB轉(zhuǎn)換增益
· 10.5dB噪聲系數(shù)
· 有效避免干擾及假性信號(hào)

STW82100B現(xiàn)已量產(chǎn)，采用7x7mmVQFPN 封裝，意法半導(dǎo)體近期將推出應(yīng)用評(píng)估套件。