三菱電機日前宣布研發成功三款輸出功率為10W、20W和40W的GaN HEMT模組。這三類模組支援L波段到C波段的放大器應用，可以應用於手機基站以及衛星通信地面站等設備中。樣品從2010年8月開始提供。（L波段∶0.5GHz～2GHz、S波段∶2 GHz～4GHz、C波段∶在4 GHz～8GHz以內，到6GHz為止）

新產品的特點

• 大功率、高效率、高電壓工作的GaN HEMT
- 推出輸出功率分別為10W、20W、40W，可用於從0.5GHz至6GHz的產品，以擴充產品陣容
- 高效率，實現46%以上的功率附加效率
- 可在47V的高電壓下工作

• 4.4 mm×14.0 mm的小型封裝
- 4.4 mm×14.0 mm的小型封裝可減少裝配面積

銷售概要

產品名	型號	輸出功率	功率附加效率	樣品出貨日期
GaN HEMT
	MGF0846G	46dBm(40W)	46%	8月1日

銷售目標

通信器材的發射部分以往使用的是GaAs（砷化鎵）功率放大器。近年來，比GaAs具更高飽和電子速度與更高擊穿電壓的GaN HEMT也備受關注。GaN HEMT的特點是功率附加效率佳，有助於發射機的小型化、輕量化、節電及延長其使用壽命。本公司從2010年3月開始，業已推出可用于衛星搭載的C波段GaN HEMT樣品。

本次，針對用於手機基站及衛星通信地球站等的射頻功率放大器，將推出3款輸出功率分別為10W、20W、40W 的GaN HEMT樣品。

主要規格

型號		MGF0846G	MGF0843G	MGF0840G
工作條件	VDS	47V	47V	47V
	IDQ	340mA	170mA	90mA
頻率		0.5GHz～6GHz（L波段/ S波段/ C波段）
3dB增益 壓縮點功率	P3dB(標準值)	40W	20W	10W
線性增益	Glp(標準值)	12dB	13dB	14dB
功率附加效率	PAE(標準值)	46％	48％	50％