飛思卡爾半導體近日推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。

　　當射頻功率管生成的最大功率到達天線時，所有固態射頻功率放大器的運行最有效。在理想條件下，這會產生1:1的VSWR，生成的全部額定功率都通過傳輸線到達負載，沒有任何額定功率反射回放大器。大部分應用的VSWR水平很少超過2.5:1，而大部分RF功率管無論其采取什么技術，都可以處理5:1或10:1的VSWR。

　　但是，RF功率放大器用來點燃CO₂激光器和離子發生器或在MRI系統里生成電磁場，都會短暫出現生成的額定功率幾乎全部被反射回放大器的情況。這些異常情況給大部分RF功率管帶來了難題。

　　飛思卡爾新推出的MRFE6VP6300H產品主要針對這類應用，能夠將300W滿CW輸出功率生成高達65:1的VSWR。它是這個性能級別里唯一商用的50V LDMOS晶體管產品。

　　飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Gavin Woods表示，“這一重要技術成果又一次顯示了飛思卡爾在RF功率市場始終保持行業第一的記錄。有了這款新晶體管，CO₂激光器、等離子體發生器、磁共振成像掃描儀和其他工業設備的制造商可以獲得前所未有的穩定性和射頻功率性能。”

　　MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置，并放置在緊湊型NI780-4陶瓷封裝中。頻率為130MHz時，該設備生成300W的CW輸出功率，增益為25dB，效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創新的靜電放電（ESD）保護技術，這不僅使它成為第三類功率器件，還支持大的柵源電壓范圍（-6V至+10V），因而在高效模式（如C類）下運行時能提高性能。

　　MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置，并放置在緊湊型NI780-4陶瓷封裝中。頻率為130MHz時，該設備生成300W的CW輸出功率，增益為25dB，效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創新的靜電放電（ESD）保護技術，這不僅使它成為第三類功率器件，還支持大的柵源電壓范圍（-6V至+10V），因而在高效模式（如C類）下運行時能提高性能。