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芯科實驗室推出業界唯一能工作到0.9V的MCU

2010-04-01 來源:維庫電子市場網 字號:
   芯科實驗室公司最新推出的Si10xx無線MCU具有25MHz的8051內核、EZRadioPRO sub-GHz RF收發器、最高達64kB的Flash和最高12位的ADC,所有組件集成在5mm×7mm大小的封裝內。Si10xx系列產品是業界最高能效的單芯片無線MCU解決方案,常用操作模式下具有最低的電流消耗。無線MCU在工作模式下有最低的電流消耗(160?A/MHz)。

  “Si10xx無線MCU是全球唯一能工作到0.9V、并集成RF無線收發功能的MCU,它還是全球工作功耗最低的MCU,僅有160uA/MHz,這使得基于它的應用無需使用昂貴的鋰電池,而改用便宜的堿性電池。”Silicon Labs亞太區MCU業務經理彭志昌表示,“此外,其RF收發器的輸出功率高達+20dBm,室外無線工作距離可達3公里,在室內工作時可穿過7-10層樓,如用于無線抄表器,那么將為無線抄表工帶來了極大的方便。”

    集成PFC和容性模式保護等功能的半橋諧振控制器

    NXP展出了業界首款將功率因數校正(PFC)、容性模式保護和自適應式死區時間控制等多種功能集成于一體的綠色芯片TEA1713半橋諧振控制器。TEA1713可以構筑性價比極高的電源解決方案,幫助設計人員打造出效率和可靠性俱佳的諧振電源,其典型應用包括90W以上的液晶電視電源、等離子電視電源、個人電腦電源和超薄型電源適配器,以及優質工業及醫療用電源等。

    采用綠色芯片TEA1713構成的半橋諧振轉換器符合能源之星的要求,在高功率應用場合,其能效高達90%以上,而功耗僅相當于普通反激轉換器的一半。除此以外,該芯片提供強大的保護功能,包括諧振轉換器的容性模式保護、高頻保護和自適應式死區時間控制等,從而使綠色芯片的性能發揮到最佳。

    效率高達92%并符合DrMOS規定的MOSFET模塊

  Vishay展出了最新的集成的DrMOS解決方案SiC762CD,在緊湊的PowerPAK MLP 6x6的40腳封裝內,該器件集成了對PWM信號優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅動IC,以及陰極輸出二極管。該器件完全符合DrMOS規定的服務器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統中電壓調節器(VR)標準。該器件的工作頻率超過1MHz,效率高達92%。

    通過集成驅動IC和功率MOSFET,SiC762CD減少了功率損耗和與高頻分立功率級相關的寄生阻抗效應。設計者可以采用高頻開關以改善瞬態響應,節省輸出濾波器的成本,在多相Vcore應用中實現盡可能高的效率密度。

    SiC762CD今年第一季度實現了量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周至十六周。

    效率高達95%的5×5mm 10A降壓穩壓器

    Micrel展出了業界功率密度最高的10A降壓穩壓器MIC22950,該同步降壓穩壓器以10A集成SuperThermal MOSFET為特色,可在一個寬負載范圍內實現超過95%的效率。它的外圍僅需配一個1uH電感器和一個100uF輸出電容器,采用MLF封裝,尺寸只有5×5mm。

    Micrel亞太區總監John Lee說:“MIC22950是目前市場上功率密度最高的降壓穩壓器,它在1A到10A的負載范圍內都能保持95%的效率,這是別家所做不到的。”

    Micrel中國區總經理張洪為補充道:“我們采用了高達2MHz的開關頻率,這是別人所做不到的。其次,MIC22950的所有管腳都是散熱片,不再需要專用散熱片。這是目前我們的兩大專有技術。”

    功率因數大于0.95的TRIAC調光LED驅動器

    安森美最近推出針對住宅及商業照明應用的新的功率因數校正(PFC)可調光LED驅動器NCL30000。它提供大于0.95的高功率因數,因而可省卻DC-DC轉換段。典型應用包括LED驅動器電源、LED嵌燈、三端雙向可控硅開關組件(TRIAC)可調光LED燈及功率因數校正恒壓電源。這器件與前沿TRIAC調光器和尾沿晶體管調光器兼容。視乎所使用的調光器,LED輸出可調低至2%。

    公司提供3款功率達15瓦(W)的參考設計,旨在以350毫安(mA)電流驅動4到15顆LED。它們也能輕易調整以配合5 W到30 W的功率電平。

    安森美電源及便攜產品全球銷售及營銷高級總監鄭兆雄說:“我們的客戶需要可兼容配線及控制的可調光LED驅動器方案。NCL30000提供優異的調旋光性能,可調光低至2%。這器件非常適合隔離型反激應用,但也能用于非隔離型降壓拓撲結構。”

    IR率先推出行業首批商用氮化鎵集成功率級器件

    國際整流器公司(IR)推出了行業首個商用集成功率級產品系列,它們采用了IR革命性的氮化鎵(GaN)功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點(POL)應用設計的,包括服務器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉換器。

    iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅動器IC,并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上,可帶來比最先進的硅集成功率級器件更高的效率和超出雙倍的開關頻率。

    IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“我們為DC-DC應用推出的這個氮化鎵功率器件系列預示著一個高頻率、高密度、高效電源轉換解決方案的全新時代,更重申了IR在創新電源管理設計方面的領先地位。”

    他補充道,iP201x系列高達5MHz的開關能力有助于設計師顯著減少輸出電容和電感值及尺寸,有助實現空間緊張的設計。這些器件還能夠使要求最高效率的應用設定在較低的開關頻率下運行。

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