IBM公司近日展示了可運(yùn)行在100GHz頻率下的石墨材料晶體管，這次展示的晶體管是在直徑兩英寸的石墨晶圓上制造出來的，這種晶體管可以在常溫狀態(tài)下正常工作。據(jù)稱這次展示的射頻石墨晶體管的運(yùn)行速度僅次于鎵砷材料制造的分立是晶體管，這次展示意味著業(yè)界在高速碳材料電子設(shè)備的商業(yè)化進(jìn)程方向上又邁出了一大 步。

 
這次研制的射頻石墨晶體管是應(yīng)美國國防部高級研究計(jì)劃局（ARPA）的要求研制的。這次研制的產(chǎn)品比先前展示的同類產(chǎn)品在平率方面提升了4倍。科學(xué)家們在制造這款晶體管時使用了與傳統(tǒng)硅外延工藝相同的方法，在一片SiC晶圓上外延生長出了一層石墨外延層，然后再使用一種名為熱分解的工藝將石墨薄層中所含的硅元素消除。此后，科學(xué)家再在這層石墨薄膜上制出金屬柵極和high-K絕緣層。

這次制造的石墨晶體管的門極寬度是240nm，比現(xiàn)有硅制程光刻工藝所能得到的最小門極寬度大10倍左右.IBM稱下一步他們將進(jìn)一步改善制造工藝，縮短柵極的寬度，增強(qiáng)設(shè)備中的電子流動性，以便將這種晶體管的運(yùn)行速度推上1THz左右，以便滿足ARPA的開發(fā)要求。

ARPA的目標(biāo)是建造石墨晶體管集成電路，以取代現(xiàn)有的軍用分立式鎵砷材料高頻通信器件。