據俄科院西伯利亞分院網站報道，該分院計算數學、數學地質物理所、半導體物理所會同德國保羅—德魯德固態電子學研究所（柏林）的聯合科研團隊計算了激子（一種準粒子）行為并構建了數學模型，此項研究可用于下一代微電子技術，其中包括量子計算機的發展。相關成果發布在《Physical Review Applied》學術期刊上。

此項研究是數學家與物理學家的合作，所研究的標的為氮化鎵（半導體材料）中的激子行為，科學興趣點為電子與納米晶格缺陷，如位錯的相互作用機理。科研團隊研究發現，納米半導體中圍繞位錯可形成電場，其強度足以與激子發生相互作用，為此構建了數學模型用以描述其相互作用機理，計算出激子的遷移率、生存時間，并試驗驗證了所獲得的數據。

激子行為的研究成果可用于研發新一代移動通信（5G）及量子計算機等技術，此項研究得到了俄羅斯科學基金的支持。