[據(jù)電子工程專輯網(wǎng)站2017年4月3日報道] 英特爾在上個月的國際物理設(shè)計研討會（ISPD 2017）上展示了超過十幾種技術(shù)，超越了其與大學和半導體研究公司行業(yè)聯(lián)盟一起開發(fā)的CMOS的局限性。

英特爾的最終目標是在使用相同的晶元生產(chǎn)線，實現(xiàn)每次計算操作能耗顯著降低。

英特爾技術(shù)制造事業(yè)部高級研究員兼組件集成電路探索性研究總監(jiān)Ian Young說：“我們正在探索超越CMOS邏輯和計算方法，以尋找如何用不同的方式來實現(xiàn)。我們希望將電源電壓遠低于0.5V。但由于要遵循CMOS邏輯，MOSFET的60mV/十的亞閾值擺幅使我們無法實現(xiàn)這一目標。”

無論采用哪種新技術(shù)，它都必須與現(xiàn)有的CMOS工藝集成，因為時鐘和I / O模擬電路將需要一些CMOS晶體管。但是不要擔心，據(jù)Young介紹說，有大約十幾種不同的想法同時正在相同的晶圓生產(chǎn)線上被研究，以實現(xiàn)電源電壓顯著降低。

“為了加快進度，英特爾一直在對所有超越CMOS器件的邏輯運算進行時延和能耗基準測試。我們也在深入了解自旋電子邏輯器件。”Young說，“了解他們?nèi)绾芜\作，對其行為進行建模，并了解如何實現(xiàn)比CMOS甚至隧道FET更低的導通電壓。”

英特爾正在探索不同類型的自旋電子技術(shù)，以在功率等性能上擊敗CMOS，如全自旋，磁電和自旋軌道耦合邏輯器件。雖然沒有采取最好的方法，但許多創(chuàng)新和實用的技術(shù)正在被發(fā)現(xiàn)。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所  張慧）