MIT電氣工程與計算機科學（EECS）部門的工程師朱迪·霍伊特，與其團隊成員在微系統技術實驗室（MTL）設計出一種新的p型鍺晶體管。新的晶體管速度達到現今大部分實驗設計的2倍，市場上p型晶體管速度的4 倍。
為了能夠提升速度，科學家們將鍺放置在不同的硅層上和硅鍺復合材料上，隨后鍺原子將與硅層結合起來，拉緊材料迫使最上層材料結構比它們的原始結構更加緊湊。
此圖為實驗室晶體管的顯微照片，藍色高亮部分為迫使鍺原子更加緊湊的拉緊區域。
MIT電氣工程與計算機科學（EECS）部門的工程師朱迪·霍伊特，與其團隊成員在微系統技術實驗室（MTL）設計出一種新的p型鍺晶體管。新的晶體管速度達到現今大部分實驗設計的2倍，市場上p型晶體管速度的4 倍。
為了能夠提升速度，科學家們將鍺放置在不同的硅層上和硅鍺復合材料上，隨后鍺原子將與硅層結合起來，拉緊材料迫使最上層材料結構比它們的原始結構更加緊湊。
此圖為實驗室晶體管的顯微照片，藍色高亮部分為迫使鍺原子更加緊湊的拉緊區域。
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