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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HVT工藝技術(shù)

2012-05-09 來源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):
北卡羅來納州格林斯伯勒,2012 426 -- 高性能射頻組件及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號(hào):RFMD)宣布,擴(kuò)展其 RFMD 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù),以將其列入功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高壓功率器件而優(yōu)化的新技術(shù)。
 
RFMD 推出的最新氮化鎵工藝技術(shù) – rGaN-HV-- 可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用(范圍從1 至 50 KW)中大幅度降低系統(tǒng)成本和能量消耗。RFMD的 rGaN-HV 技術(shù)可傳送高達(dá)900 伏特的擊穿電壓,具有高峰值電流性能,并可在氮化鎵電源開關(guān)和二極管之間進(jìn)行超快速切換。這項(xiàng)新技術(shù)可補(bǔ)充 RFMD 的 GaN1工藝和GaN2 工藝,其中GaN1工藝是為高功率射頻應(yīng)用而優(yōu)化的,并傳送超過 400 伏特的高擊穿電壓; GaN2 工藝是專為高線性度應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,并傳送超過 300 伏特的高擊穿電壓。RFMD 將會(huì)在北卡羅來納州格林斯伯勒的晶圓廠 (fab) 為客戶制造分立式功率器件,并為代工客戶提供 rGaN-HV 技術(shù)以使其能定制功率器件解決方案。
 
RFMD 總裁兼首席執(zhí)行官 Bob Bruggeworth 表示:“全球?qū)νㄟ^提高功率轉(zhuǎn)換效率來節(jié)約能源的需求為基于 RFMD 氮化鎵功率工藝技術(shù)的高性能功率器件創(chuàng)造了極大的機(jī)會(huì)。我們期望我們推出的最新氮化鎵功率工藝將會(huì)擴(kuò)大我們?cè)诟唠妷汗β拾雽?dǎo)體市場(chǎng)中的機(jī)會(huì),而且,我們很高興能夠?yàn)橥獠康拇た蛻籼峁?rGaN-HV 技術(shù),支持他們?cè)诟咝阅芄β势骷袌?chǎng)上獲得成功。”
 
RFMD 的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品線和代工服務(wù)事業(yè)部將于 5月8日-10日在德國(guó)紐倫堡的 PCIM 電力工業(yè)會(huì)議上展示其廣泛的氮化鎵技術(shù)和氮化鎵功率產(chǎn)品組合。
 
關(guān)于 RFMD 
RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq GS股市代號(hào):RFMD)是高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者。RFMD 實(shí)現(xiàn)全球移動(dòng)性,提供加強(qiáng)的連接性,支持蜂窩手持設(shè)備、無線基礎(chǔ)設(shè)施、無線本地局域網(wǎng) (WLAN)、CATV/寬頻以及航空和國(guó)防應(yīng)用的先進(jìn)功能。RFMD 半導(dǎo)體技術(shù)多樣化產(chǎn)品組合以及 RF 系統(tǒng)專業(yè)技術(shù)享有業(yè)界知名度,是全球頂尖移動(dòng)設(shè)備、客戶終端設(shè)備以及通信設(shè)備提供商中的首選供應(yīng)商。
 
RFMD 總部位于北卡羅來納州、Greensboro,是一家在全球擁有工程、設(shè)計(jì)、銷售及服務(wù)機(jī)構(gòu)的、且具 ISO 9001、ISO 14001 及 ISO/TS 16949認(rèn)證的制造商。RFMD 在納斯達(dá)克全球精選市場(chǎng)上市交易,交易代碼為 RFMD。更多信息,請(qǐng)?jiān)L問 RFMD 網(wǎng)站www.rfmd.com。
主題閱讀: RFMD  氮化鎵  功率器件
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