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賽普拉斯高密度QDR II系列SRAM獲Altera采用

2011-12-07 來源:微波射頻網 字號:

賽普拉斯(Cypress)宣布Altera旗下的28奈米Stratix V GX現場可編程閘陣列(FPGA)開發套件,選用賽普拉斯QDR II(Quad Data Rate II)及QDRII+靜態隨機存取記憶體(SRAM)。賽普拉斯的SRAM讓Stratix V FPGA開發套件能實現高達100Gbit/s的線路速率。 
Stratix V GX FPGA開發套件提供完整的設計環境,協助客戶進行Altera高效能28奈米FPGA的開發工作,并滿足網路線路卡、先進長程演進計劃(LTE)基地 臺、高階無線射頻卡(RF Cards)及軍用雷達等各種應用需求。新款套件讓研發業者能以最新協定PCIe 3和各種記憶體子系統(包括DDR3、QDRII以及QDRII+)來設計并測試Stratix V GX FPGA。 

QDRII+元件搭載晶粒內終端電阻(ODT),因此不必使用外部終端電阻,進而能夠提升訊號完整性、降低系統成本以及節省電路板空間。新款元件密度高達 144 Mbit,速度最高至550MHz。突發傳送長度(Optional Burst)為4時,144 Mbit QDRII+每秒能完成五億五千萬次處理。此外,65奈米SRAM適用于各種網路應用,包括核心與邊界路由器、固定式與模組化乙太網路交換器、3G基地臺 及保全路由器。 

賽普拉斯同步SRAM事業部資深經理Sudhir Gopalswamy表示,Stratix V FPGA將網路效能提升到全新的境界,很高興賽普拉斯能提供理想的記憶體技術,讓顧客獲得技術演進所帶來的效益。 

Altera高階產品部門資深行銷經理Bernhard Friebe也指出,賽普拉斯的QDRII與QDRII+提供卓越的速度、密度以及低延遲等特色,滿足現今高效能網路解決方案的要求。而Stratix V FPGA支援QDRII和QDRII+等最新記憶體技術,將能幫助顧客全力提升終端系統的功能。 

賽普拉斯網址:www.cypress.com

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