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RFMD的PowerSmart電源平臺達到4G性能新里程碑

2011-01-18 來源:微波射頻網 字號:

設計和制造高性能射頻元件及化合物半導體技術商RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布其PowerSmart電源平臺已達到重大的性能里程碑。 RFMD的PowerSmart電源平臺為一全新的產品類別,其重塑了多模、多頻蜂巢式射頻架構的未來。

在獨立產品測試中,RFMD的PowerSmart電源平臺達到了HSPA+4G數據上傳速度,同時所耗電流比競爭性解決方案少15%。而例行性用來評估每個新蜂巢式產品前端、收發器和基頻的產品合格測試,目前也已透過支援涵蓋多種規格的產品系列而進行,該產品將于2011年三月由蜂巢式設備主要制造商推出。

PowerSmart電源平臺具備一新射頻可配置功率核心(RF Configurable Power Core),可提供所有蜂巢式通訊調變方案的多頻、多模覆蓋率,包括GSM / GPRS、EDGE、,EDGE Evolution、CDMA、3G (TD-SCDMA或WCDMA)和4G(HSPA+,LTE或WiMAX)。

HSPA + 4G裝置可達到每秒22megabit(Mbps)的最高數據上傳速度。由于PowerSmart的射頻可配置功率核心兼容于目前和已知的未來4G標準數據技術(HSPA+,LTE QPSK, LTE 16QAM和LTE 64QAM),因此RFMD預期之后內建PowerSmart的智慧型手機將可支援高于22 Mbps的上傳速度。

除了射頻可配置功率核心進行所有功率放大和電源管理功能,RFMD的PowerSmart電源平臺更將所有必要的轉換和訊號處理功能包含于一個精小的參考設計中,提供智慧型手機制造商一個針對整個蜂巢式前端的單一可擴展來源。

關于 RFMD
RF Micro Devices(NASDAQ GS 代碼:RFMD)堪稱在高性能半導體元件的設計與制造方面的全球領先廠商之一。 RFMD 的產品可實現全球移動性,提供更高的連接能力,以及支持蜂窩手機、無線基礎設施、無線局域網 (WLAN)、有線電視網絡/寬帶、航空及國防市場中的高級功能。 RFMD 因其多樣化的半導體技術以及RF 系統專業技能而得到業界的認可,并且是受全球領先移動設備、客戶端設備及通訊設備制造商所青睞的供應商。

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