鈦酸鍶鋇（(Ba,Sr)TiO3，簡稱BST）是一種非常重要的功能材料，它具有高介電常數、低介電損耗、高可調性和居里溫度隨組分連續可調的特性，是動態隨機存儲器、非制冷紅外探測器以及可調微波器件等多種應用研究的優選材料之一。
最近，中國科學院上海硅酸鹽研究所董顯林研究員帶領的課題組和法國電子微電子納米技術研究所（IEMN）Denis教授研究小組合作，在BST60/40薄膜的高頻微波性能研究中取得了新進展。他們通過設計非化學計量比靶材，采用原位沉積工藝，控制濺射氣氛中的O2/(Ar+O2)比例，在沒有利用任何緩沖層的情況下，首次在Pt/Si襯底上制備出100%取向度的BST(001)、BST(111)織構化薄膜。他們還巧妙引入具有極低損耗（<0.005）的BZN薄膜，獲得了可調性高達50%（@400kV/cm）、介電損耗僅0.01及優值因子高達46.8的BZN/BST復合薄膜，解決了BST鐵電薄膜難以兼顧高可調性和低介電損耗這一難題。為研究BST薄膜的高頻微波性能，在Al2O3(0001)襯底上引入納米TiOx作為籽晶層，制備出高度（111）取向外延BST薄膜，并分別對多晶和外延BST薄膜在1~40GHz頻率范圍內進行了微波性能表征和分析，發現BST薄膜的復介電常數遵從Curie–von Scheidler定律；在頻率高達40GHz、電場僅為300kV/cm條件下，外延BST（111）薄膜的可調性高達41%，是多晶BST薄膜的1.4倍，有望應用于高頻微波器件領域。
PhysOrg新聞網站以“For future chips, smaller must also be better”為題對相關研究進展進行了報道。相關的一系列研究結果發表在近期的Appl. Phys. Lett. 97, 162909 (2010)、J. Am. Ceram. Soc. 93, 350 (2010)、J. Am. Ceram. Soc. 93, 1215 (2010)、J. Am. Ceram. Soc. 93, 2136 (2010)和J. Am. Ceram. Soc. 93, 2526 (2010)等刊物上。兩個研究小組從2005年合作研究至今，已有兩名博士后出站，聯合培養博士研究生3名，其中1名取得了雙博士學位。
上述研究得到了國家基礎研究項目(項目編號：6163Z09.1)、上海青年科技啟明星計劃（09QH1402400）和中科院“百人計劃”的資助。
相關鏈接：http://nanotechwire.com/news.asp?nid=10696
http://www.physorg.com/news205490400.html
http://link.aip.org/link/?APL/97/162909
http://www.wiley.com/bw/journal.asp?ref=0002-7820
不同氧分壓下得到的BST薄膜XRD圖 BZN/BST復合薄膜的可調性及優值隨BZN厚度變化
共面波導傳輸線及BST薄膜的斷面結構 Al2O3襯底上外延和多晶BST薄膜的高頻介電性能
雙博士學位獲得者楊麗慧與導師Denis教授和董顯林研究員合影
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