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TriQuint發布0.15um光學pHEMT制程技術 助力成本效益的毫米波應用

2010-10-21 來源:微波射頻網 字號:
射頻產品和代工服務領先供應商TriQuint半導體公司日前宣布,其最新推出的150mm砷化鎵 (GaAs) 代工生產工藝TQP15已全面投產。TQP15專門針對Ka波段,有助于經濟高效地開發毫米波 (mmWave) MMIC 支持各種應用,如 VSAT、衛星通信和點對點無線電通信。

TQP15已在俄勒岡州希爾伯勒TriQuint量產GaAs的晶圓廠投產,是TriQuint高質量贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 工藝系列中的最新產品。TQP15采用光刻技術,成本低于傳統電子束工藝解決方案。同時,還采用難熔金屬柵結構,不存在非難熔柵pHEMT工藝中標準金屬柵散熱故障保護機制。

TriQuint全球運營部副總裁Steve Grant指出:“TQP15工藝以TriQuint生產出數以百萬計pHEMT晶圓的成熟加工能力為基礎。因此,客戶完全可以相信TQP15基礎技術的穩定性。由于光刻技術首創應用,這一工藝具有成本效益方面的優勢。”

整個開發過程中,工藝提交給選擇的客戶設計人員試用,收集反饋意見,幫助工藝定型。

Custom MMIC Design Services公司總裁Paul Blount表示:“TQP15為我們提供了經濟的高頻pHEMT工藝。我們成功地將TQP15應用于K頻段高頻放大器和控制功能,并計劃擴大這一工藝的應用范圍,用其生產我們的Ka頻段產品系列。”

TriQuint代工部營銷總監Mike Peters指出:“TriQuint以其豐富的HBT、電子束和光柵pHEMT技術成為公認的技術領導者。TQP15的發布進一步鞏固了這一主導地位。結合已發布的成套光柵pHEMT技術TQPED和TQP13-N,以及即將推出的TQP25工藝,TriQuint將繼續為毫米波市場商品化提供支持。”

TriQuint將于2010年9月27日下午5:30 – 6:30 (歐洲中部下令時),在拉德芳斯復興巴黎酒店 (Renaissance Paris la Defense),Bagatelle / Tulle會議室舉行交互式客戶論壇,探討TQP15架構、可靠性和性能,同時介紹歐洲微波年會相關信息。

工藝概覽與技術規格

參數

TQP15

Gate Length (um)

0.15

BV (V) (typ)

14

Vp (V)

-1.0

Idss (mA/mm)

380

Imax (mA/mm)

580

Ft Peak (GHz)

80

Gm @ Idss (mS/mm)

550

NF @15GHz  (dB)

0.6

Power Density @ 21 GHz (mW/mm)

>700

關于TriQuint

作為向全球領先的通信、國防和航空航天公司提供創新射頻解決方案與代工服務的全球領先提供商,TriQuint半導體公司(納斯達克股票代碼:TQNI)在2010年慶祝公司成立25周年。全世界的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯系;TriQuint產品可幫助降低用于提供關鍵語音、數據和視頻通信的互聯移動設備與網絡的成本和提高它們的性能。憑借業內最廣泛的技術系列、公認的研發領先地位以及在大規模制造領域的專業知識,TriQuint生產基于砷化鎵 (GaAs)、氮化鉀 (GaN)、聲表面波 (SAW) 和聲體波 (BAW) 技術的標準及定制產品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠,在哥斯達黎加擁有生產中心,在北美地區和德國擁有設計中心。欲知更多信息請訪問www.triquint.com。

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