中科院微電子所微波器件與集成電路研究室日前試制出一種新型光電探測(cè)器——EVPD原型，并通過850nm的激光與斜面耦合，檢測(cè)到了明顯的光電效應(yīng)，證明了EVPD方案的可行性。目前，與之相關(guān)的“高速芯片之間光互連技術(shù)與試驗(yàn)平臺(tái)”的研制正在該所順利進(jìn)行，該所的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)單通道10Gbps的12路EVPD陣列，并應(yīng)用于12×10Gbps的高速并行光互連模塊。 

      據(jù)悉，隨著芯片的數(shù)據(jù)處理能力越來越高，對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和傳輸也提出了更高的要求。高速率、高帶寬的需求使得以銅線為基礎(chǔ)的芯片間電互連成為限制系統(tǒng)性能的瓶頸。光互連能克服電互連在高頻狀態(tài)的一系列缺點(diǎn)，如時(shí)延長(zhǎng)、電磁互擾嚴(yán)重、串?dāng)_大、損耗大，所以光互連是解決芯片間高速互連的有效途徑。EVPD(Edge-View-Photodetector)就是為了簡(jiǎn)化芯片間光互連、降低光學(xué)封裝成本而設(shè)計(jì)的。它具有斜面受光、平面電極的特點(diǎn)。光纖或光波導(dǎo)直接與斜面上的光探測(cè)區(qū)耦合，無需光路90°轉(zhuǎn)折，也就省去了反射鏡和微透鏡的使用，達(dá)到了簡(jiǎn)化光互連結(jié)構(gòu)，降低成本的目的。