據ABI Research網站1月26日報道 雖然RF（射頻）功率半導體在無線基礎設施市場仍處于停滯狀態，但在其他市場，尤其是軍品市場，形勢已開始好轉。據美國市場研究機構ABI Research最新報告指出，GaN（氮化鎵）作為未來很有潛力的RF功率器件制備材料，將進一步獲得市場認可。

    GaN兼具GaAs（砷化鎵）的高頻性能和硅基LDMOS器件的功率處理能力，現已成為主流技術，取得了一定市場份額，并將在未來市場中占有一席之地。

    不同于無線基礎設施市場，軍品市場的RF功率器件交易表現出強勁上揚的態勢。雖然生產商集中在幾個主要工業化國家，但隨著軍品市場的全球化，買方可來自世界各地。

    RF功率器件是指頻率達到3.8GHz且輸出功率在5W以上的半導體器件，可以滿足現有大部分應用需求。

    (工業和信息化部電子科學技術情報研究所 陳 思)