當(dāng)LTE越來越明顯的將成為未來4G的主流技術(shù)時，全球LTE的整體部署也在慢慢展開。

盡管如此，國際芯片制造大廠商：博通，英飛凌和高通，已經(jīng)制定出LTE產(chǎn)品發(fā)展計劃。另外，新興廠商：Altair Semiconductor, Beceem，BitWave, Comsys, Sequans和Wavesat,也希望轉(zhuǎn)向LTE市場需求新的機會。

據(jù)In-Stat分析，3G基帶芯片的領(lǐng)頭廠商是不必非要在LTE市場保持領(lǐng)先勢頭，因平臺和技術(shù)的變化已經(jīng)足以為市場帶來巨大的變革。

In-Stat預(yù)測到2013年，全球用戶終端硅設(shè)備將超過20億美元。但這種市場情況，仍然處于發(fā)展的初級階段，未來市場還將有廣闊的空間。硅更大的作用將發(fā)揮在低噪聲放大器，功率放大器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器，聲表面波過濾器和電池壽命。

LTE射頻解決方案必須配備多樣化的收發(fā)器，因為需要支持各種不同頻道的頻譜。現(xiàn)在進入LTE市場上的大多數(shù)設(shè)備是雙模制式。