TD-LTE實驗網(wǎng)和預(yù)商用網(wǎng)絡(luò)建設(shè)正在全球范圍內(nèi)展開，國外各大通信運營商已經(jīng)積極投入到新一代移動通信網(wǎng)絡(luò)的搭建中。歐洲的通信網(wǎng)絡(luò)公司沃達(dá)豐、日本的運營商DoCoMo和軟銀集團、美國的電信運營商Verizon等都計劃在未來采用我國提出的4G標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)搭建4G網(wǎng)絡(luò)。2010年，在工信部的組織下，各廠商紛紛完成了中移動TD-LTE實驗室和順義、懷柔外場測試。然而，目前TD-LTE芯片還沒有進(jìn)入到終端與設(shè)備聯(lián)系的階段，是目前TD-LTE的主要薄弱環(huán)節(jié)。

      作為國內(nèi)較早投入TD-SCDMA射頻芯片研發(fā)的企業(yè)，廣晟微電子在TD-SCDMA射頻芯片研發(fā)上積累了豐富的經(jīng)驗。憑借多年的TD-SCDMA射頻芯片開發(fā)經(jīng)驗，2009年廣晟微電子承擔(dān)“新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)”國家科技重大專項“TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)”課題的研發(fā)工作。目前，廣晟微電子已經(jīng)成功研發(fā)出符合3GPP Release 8標(biāo)準(zhǔn)的TD-LTE射頻收發(fā)芯片，并在20MHz信號帶寬的條件下成功將64QAM的TD-LTE信號解調(diào)，詳見附圖：

      廣晟微電子所研發(fā)的TD-LTE終端射頻芯片支持TD-SCDMA和TD-LTE/MIMO雙模工作模式，支持4頻段TD-SCDMA工作模式，即1800-1920MHz頻段，2010-2025MHz頻段，2300-2400MHz頻段及2570-2620MHz頻段；同時還支持雙頻段下的TD-LTE和MIMO工作模式，即2300-2400MHz頻段和2570-2620MHz頻段。在TD-LTE/MIMO工作模式下，支持多個信號帶寬：1.4MHz，3MHz，5MHz，10MHz，15MHz和20MHz。芯片接口為JESD207標(biāo)準(zhǔn)的11比特并行接口，便于與世界上大多數(shù)基帶芯片進(jìn)行對接。

      在TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)期間，廣晟微電子采用了許多先進(jìn)的設(shè)計來提高該芯片的性能，如接收機采用無源混頻器結(jié)構(gòu)，在降低功耗的同時有極大地改善了接收機前端IIP3和IIP2，縮小了版圖面積。同時采用了先進(jìn)的高速∑-∆ CT 模數(shù)變換器（ADC，過采樣時鐘接近1GHz），它與接收機的無源混頻器直接耦合，刪除了傳統(tǒng)的模擬濾波器，從而改善了由于模擬濾波器引入的群延遲，直流偏移等不良影響，極大地改善了接收機通道的性能；接收機還具有快速自動AGC，無需基帶干預(yù)，即可將接收機的輸出電平穩(wěn)定調(diào)整到基帶芯片所需的位置；芯片內(nèi)置高性能低噪聲的∑-∆小數(shù)分頻鎖相環(huán)電路，二倍頻的壓控振蕩器覆蓋1800MHz到2620MHz所有頻段的頻率需要；發(fā)射機通道采用帶有自動直流偏移校準(zhǔn)的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），1dB步進(jìn)80dB動態(tài)范圍的發(fā)射機可變增益放大器，輸出功率可達(dá)+5dBm同時具有很低的噪聲，因此發(fā)射機端口無需SAW濾波器，降低了成本。芯片內(nèi)置各種低功耗、低噪聲的LDO，所以芯片只需1.8V單電源供電，使用非常方便。此外，通過TD-LTE終端射頻芯片研發(fā)，廣晟微電子研發(fā)團隊申請了13項發(fā)明專利，在研究成果上取得了一定突破。

      從芯片的投片驗證來看，廣晟微電子研發(fā)的TD-LTE終端射頻芯片不僅滿足3GPP TD-LTE和國內(nèi)相關(guān)技術(shù)規(guī)范的要求的三頻TD-LTE和TD-SCDMA雙模要求，還支持雙頻即2300-2400MHz頻段和2570-2620MHz頻段TD-SCDMA和LTE/MIMO功能。目前，芯片各功能測試進(jìn)展順利，廣晟微電子鎖定“預(yù)商用”，正在向相關(guān)基帶廠商實施TD-LTE終端射頻芯片推廣工作，為未來TD-LTE的正式商用做好準(zhǔn)備。