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《微波與射頻》
聚焦射頻行業精華
2017第23期 總第297期
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寬帶毫米波和PNA-B網絡分析儀
射頻從業者必看，全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀
2010 年起因為從2G 進入3G 時代(2010~2013) ,帶動智慧行動裝置高速起飛,帶動了射頻前端代工廠商業績騰飛。但是2013 后因為有Si 制程的PA 高性價比的替代品出現(CMOS PA MMPA) ,使得出現產業替代危機。
5G時代 | RF MEMS與RF SOI 兩種工藝誰才是主流？
即便不考慮RF設備和工藝類型的變革，當今RF市場的挑戰也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項相當簡單的設計，但是現在，事情已經發生了大大的改變。首先，您的射頻前端必須處理范圍非常廣泛的頻帶，從600MHz一直延伸到3GHz。
基于全光傅里葉變換及時域放大的超快射頻頻譜分析
武漢光電國家實驗室光電子集成與器件功能實驗室張馳副教授帶領碩士生段玉華等人，利用時間-空間二相性的概念，提出了一種基于全光傅里葉變換及時域放大的超快射頻頻譜分析系統，實現了20GHz以上的測量帶寬、100MHz的測量幀率，測量精度控制在1GHz內。
新型低功耗毫米波技術：未來智能手機可裝備雷達！
最近，日本科學家開發出一種低功耗毫米波放大器，供電電壓低至0 5V，頻率覆蓋范圍從80 GHz 到106 GHz。它使用深度耗盡通道（DDC）技術進行制造，是首個工作在W波段(75-110 GHz)，具有這么低的供電電壓的放大器。
射頻微波測試測量基礎 - EMI干擾測試基礎
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