由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所等單位承辦的“第十八屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議”定于2016年10月下旬在福建省廈門市召開。這是每?jī)赡昱e行一次的全國(guó)性重大學(xué)術(shù)會(huì)議，將展示化合物半導(dǎo)體，特別是近年來迅猛發(fā)展的寬禁帶化合物半導(dǎo)體在材料生長(zhǎng)、器件與電路設(shè)計(jì)、制造工藝及其應(yīng)用等方面的最新進(jìn)展，探討國(guó)內(nèi)外化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。召開這次會(huì)議的目的是為全國(guó)在本領(lǐng)域或有意在本領(lǐng)域從事研發(fā)、教學(xué)、生產(chǎn)、投資的科技人員和管理人員提供一個(gè)學(xué)術(shù)與技術(shù)交流的平臺(tái)，以促進(jìn)我國(guó)本領(lǐng)域的科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。我們熱忱歡迎本領(lǐng)域廣大專家學(xué)者和科技人員以及相關(guān)設(shè)備、儀器制造領(lǐng)域的研發(fā)人員和相關(guān)企業(yè)界人士踴躍投稿、參會(huì)、參展。

主辦單位：中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)

承辦單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)電科55所、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)電科13所專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、廈門大學(xué)

會(huì)議時(shí)間：2016年10月下旬

會(huì)議地點(diǎn)：廈門市

重要的時(shí)間點(diǎn)：

1. 第二輪通知日期： 2016年6月底
2. 投稿截止日期： 2016年7月15日
3. 論文接收通知日期：2016年9月上旬

一、征文內(nèi)容：

1. GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體材料、微波器件及光電器件；
2. 寬禁帶化合物半導(dǎo)體(GaN、SiC、ZnO和金剛石等)材料的制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用；
3. 硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制備、器件及其光電集成技術(shù)；
4. 納米(低維)半導(dǎo)體材料、性質(zhì)及量子器件；
5. 磁性半導(dǎo)體材料的制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用；
6. 化合物半導(dǎo)體微波器件和微波集成電路的設(shè)計(jì)、制造與測(cè)試；
7. 化合物半導(dǎo)體光電器件和光電集成電路的設(shè)計(jì)、制造與測(cè)試；
8. 化合物半導(dǎo)體微波器件及光電器件制造的其它相關(guān)技術(shù)，如耦合、封裝等；
9. 化合物半導(dǎo)體微波器件和光電器件的可靠性與失效分析；
10. 化合物半導(dǎo)體微波器件和光電器件及系統(tǒng)的應(yīng)用；
11. 新型化合物半導(dǎo)體材料制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用；
12. 化合物半導(dǎo)體材料的微結(jié)構(gòu)、表面、界面行為以及生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究；
13. 化合物半導(dǎo)體和薄膜材料的先進(jìn)生長(zhǎng)設(shè)備和測(cè)試分析儀器的研制；
14. 化合物半導(dǎo)體材料制備和器件研制相關(guān)的基礎(chǔ)材料(如金屬有機(jī)源、高純金屬源、高純工藝氣體等)；
15. 化合物半導(dǎo)體和薄膜材料的表征和測(cè)試分析技術(shù)；
16. 半導(dǎo)體白光照明材料、器件及應(yīng)用技術(shù)；
17. 其它(如稀土、有機(jī)半導(dǎo)體等)半導(dǎo)體材料、性質(zhì)及器件應(yīng)用；
18. 化合物半導(dǎo)體敏感材料、制備、表征及應(yīng)用；
19. 化合物半導(dǎo)體微、納電子及光電子器件制造、表征及應(yīng)用；
20. 半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換材料與器件應(yīng)用；
21. 集成電路設(shè)計(jì)；
22. 電介質(zhì)物理與器件；
23. 其它化合物半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域最新進(jìn)展等。

二、投稿分類：

根據(jù)以上征文內(nèi)容，將參會(huì)者的稿件擬分為以下四大類。

1. 材料生長(zhǎng)及表征（Material Growth and Characterization）,類別代碼：MGC
2. 高頻、高功率電子器件 (Electron Devices), 類別代碼：ED
3. 發(fā)光器件及光電探測(cè)器件（Optoelectronic Devices, 類別代碼：OED
4. 設(shè)備、系統(tǒng)及應(yīng)用（Equipment，System and Applications, 類別代碼：ESA

投稿時(shí)，請(qǐng)參會(huì)者務(wù)必在文章的首頁及Email的標(biāo)題中提供文章類別代碼 (在會(huì)議提供的文章模版里將有代碼位置輸入提示)，以便會(huì)務(wù)人員安排專家審稿。以上分類方式可能會(huì)由于屆時(shí)參會(huì)人員的分布相對(duì)變化而作相應(yīng)調(diào)整。

三、論文要求：

1. 論文要力求反映國(guó)內(nèi)外最新研究方向和成果，要主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，論述嚴(yán)謹(jǐn)，結(jié)論明確，采用法定計(jì)量單位，且尚未在國(guó)內(nèi)外公開刊物或其它學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表過。

2. 本次會(huì)議征集到的優(yōu)秀稿件將推薦到《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》發(fā)表。會(huì)議將評(píng)選出10篇左右的優(yōu)秀論文，由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)頒發(fā)優(yōu)秀論文證書，并給予獎(jiǎng)勵(lì)。

3. 論文一律采用 A4紙排版，具體格式為：題目用3號(hào)黑體字，作者用4號(hào)字，單位、郵編、電子信箱、摘要、關(guān)鍵詞等用6號(hào)字，正文用5號(hào)字，正文行距為單倍行距。字體除題目外統(tǒng)一用宋體，版芯尺寸為140 mm×215 mm，包括圖表在內(nèi)每篇論文不超過4頁。論文格式模版見附件1。

四、論文的提交：

請(qǐng)參會(huì)者提供電子版論文PDF和WORD (要求可編輯)兩種格式的文檔。文件名稱格式如下：類別代碼加作者姓名，例如，MGC-姜麗娟。請(qǐng)將以上兩種格式的文件同時(shí)發(fā)送到以下(見聯(lián)系人)兩個(gè)電子郵箱。并在Email正文中提供以下信息，以便減少會(huì)務(wù)組工作失誤并減輕會(huì)務(wù)組織人員的統(tǒng)計(jì)工作量。

a) 文章類別代碼[共4類]；b）文章題目；c）作者姓名；d）工作單位；e）Email地址；f)電話

請(qǐng)自留底稿，不論錄用與否原稿一律不退。

五、聯(lián)系人：姜麗娟，王琨，王曉亮

電話：010-82304140
手機(jī)：13810828717
Email:ljjiang@semi.ac.cn kwang@semi.ac.cn

六、參會(huì)回執(zhí)

為了更好的開展籌備工作，請(qǐng)參會(huì)人員配合我們填寫參會(huì)回執(zhí)（附件2），在2016年7月15日前寄至?xí)h籌備組。大會(huì)籌備組熱忱歡迎您的到來；同時(shí)也真誠(chéng)希望得到您的大力支持與幫助。

第十八屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議組委會(huì)

2016年3月25日