小巧的造型車間，緊湊型建模邀請函 - 器件模型培訓(xùn)課程
集成電路培訓(xùn)中心ICTC將邀請器件建模領(lǐng)域的權(quán)威伯特蘭Ardouin博士，托馬斯 瓦倫丁博士做專題邀請報告。一，培訓(xùn)對象：
本課程屬于緊湊型建模Workshop，適合具有一定基礎(chǔ)的學(xué)員：半導(dǎo)體廠器件模型開發(fā)人員、模擬/混合信號/射頻設(shè)計人員、以及相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和管理人員、集成電路專業(yè)研究生以及對器件模型感興趣的人。
二，時間及地點：
（一）上課時間：2014年6月12日（周四）;
（二）上課地點：上海浦東新區(qū)張江浦東國際人才城（張衡路500弄1號樓）
三，其他事項：
（一）報名：
1，報名時間：2014年4月15日至6月01日止;
2、報名方式：填寫報名表格（附后），于06月01日前將填好的報名表發(fā)送至聯(lián)系人郵箱（附后）
（二）費用：
1，培訓(xùn)費用：1200 三仙教授培訓(xùn)的學(xué)員如報名，則可享受九折優(yōu)惠。
2、培訓(xùn)食宿：學(xué)員午餐由會務(wù)組統(tǒng)一安排，往返交通及住宿費用自理（需要住宿的學(xué)員可提前預(yù)定國際人才城酒店（協(xié)議價398元/天）??或附近上海張江置業(yè)賓館（協(xié)議價200元/天），需要預(yù)定的學(xué)員請盡早通過會務(wù)預(yù)定）。
3，相關(guān)費用請匯入會務(wù)組賬號（或根據(jù)報名回執(zhí)現(xiàn)場交付）。
收款單位：上海林恩信息咨詢有限公司
開戶行：上海銀行曹楊支行
賬號：316586 03000624127
（匯入賬戶的學(xué)員，請將匯款底單傳真至021-3327 5892或者掃描郵件至?xí)?wù)組郵箱史蒂芬。yu@lynneconsulting.com）
（三）聯(lián)系方式：
聯(lián)系人：溫麗琴，余小陽（林恩咨詢,021-5109 6090，18964912340）;
聯(lián)系郵箱：溫麗琴（service@ictc.org.cn）;余小陽（steven.yu@lynneconsulting.com）
四，課程內(nèi)容：
本課程屬于器件模型設(shè)計高級課程，適合具有一定基礎(chǔ)的學(xué)員：偏重器件模型設(shè)計中的實際問題，比如如何看待基于物理意義的模型和純擬合模型，特殊環(huán)境下的模型，以及如何判斷模型對于設(shè)計的好壞。特別討論了當(dāng)前比較關(guān)心的模型，比如ELECTRO-THERMAL，RELIABILITY等問題。另外，高頻下的測量和目前比較熱門的RF-SOI模型也作了闡述。最后，對將來熱門的新材料也做了展望，也同時對目前的模型參與者提出了有趣的研究方向。課程具體內(nèi)容包括：
1，引言緊湊造型及具體型號（Ardouin博士）
一，物理基礎(chǔ)建模的優(yōu)勢在純擬合模型
B，統(tǒng)計建模方法
C，EDA工具，環(huán)境和流程相關(guān)問題
D，具體的建模實例：高溫型號，低溫型號，射頻模式
E，Q / A的驗證（線路電平）
2，什么有一個良好的模型是必要的？部分A / B（Ardouin博士）
一，測量
B，測量驗證與確認(rèn)
C，機型小巧：一個簡要的回顧和歷史（BSIM3 / 4，EKV，PSP，HICUM，VBIC，安格洛夫）
D，測試芯片，測試結(jié)構(gòu)：它的戰(zhàn)略直流和射頻？
E，提取工具：它的戰(zhàn)略模型？（環(huán)球接頭，分級，當(dāng)?shù)靥崛?，精度?biāo)準(zhǔn)等）
女，什么是對設(shè)計的影響？有沒有一個“適合所有型號”
3，PD SOI CMOS工藝的射頻/噪音緊湊的造型（瓦倫丁博士，受邀）
4，電熱先進(jìn)技術(shù)特性（齊默教授）
一，測量：低頻率的S參數(shù)測量，脈沖直流和交流測量
B，TCAD仿真
C，電熱緊湊型
D，應(yīng)用的SiGe-HBT
E，應(yīng)用到28nm CMOS
樓在電路級的影響
5，射頻測量方法達(dá)到100GHZ（Ardouin博士）
校準(zhǔn)和去嵌入技術(shù)的的S參數(shù)一，頻率限制
B，EM仿真
6，可靠性與緊湊的造型與注重生活時間預(yù)測（Ardouin博士）
一，重要性的可靠性感知模型
B，降解機制和老化模型的組合
C，晶體管緊湊模型
D，案例分析和可靠性感知電路
7，展望：“石墨烯電子：如何遠(yuǎn)離工業(yè)應(yīng)用”（齊默教授）
五，授課專家簡介：
伯特蘭Ardouin博士
伯特蘭Ardouin收到了碩士和博士學(xué)位 從theUniversityofBordeaux1 1998 Francein和2001年分別在電氣工程學(xué)位。他的研究活動是硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管先進(jìn)的建模和表征。2002年，他一直XMOD技術(shù)，他目前是基金經(jīng)理和研發(fā)總監(jiān)的聯(lián)合創(chuàng)始人之一。Ardouin博士是從2006-2012的IEEE-BCTM的CAD /建模小組委員會的成員。
公關(guān)。托馬斯·齊默
托馬斯·齊默收到碩士 從theUniversityofWürzburg，德國，于1989年物理學(xué)位和博士學(xué)位 從大學(xué)波爾多1，塔朗斯，法國，在1992年電子學(xué)士學(xué)位。從1989年到1990年，他與德國弗勞恩霍夫研究所，德國埃爾蘭根。自1992年以來，他與IMS研究所，法國Talence。自2003年以來，他在他UniversityBordeaux1教授。在IMS的實驗室，他是研究小組的領(lǐng)導(dǎo)者“納米電子學(xué)。”他的研究興趣主要集中在高頻設(shè)備，如HBT（鍺，磷化銦），石墨烯納米管和GFETs電氣緊湊建模和表征。他是高級會員IEEE和擔(dān)任評論員的許多期刊（IEEE ED，EDL，上證所...），并參加了幾次會議的程序委員會（BCTM，ESSDERC ...）。他已發(fā)表150余同行評議的科學(xué)論文，1本書，促成了8書的章節(jié)。
拉斐爾瓦倫丁博士（特邀）
他獲得了博士學(xué)位 從theInstituteofElectronics學(xué)位微納米技術(shù)，微電子和納米技術(shù)（IEMN），阿斯克新城，法國，在2008年，他的博士 度的研究是在納米級金屬源/漏全耗盡SOI專用于高頻應(yīng)用晶體管的器件仿真/建模和測量。他工作作為博士后CEA LETI在ST微電子在建模組。有關(guān)他的主要研究興趣先進(jìn)的無線電頻率（高達(dá)100千兆赫）的專用于高速/低功耗通信SOI CMOS器件建模緊湊。他目前正在為蒙太奇技術(shù)，公司，負(fù)責(zé)設(shè)備和建?；顒印?/font>
