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“在MWO中進行GaN微波單片集成電路和離散功率放大器設計” 技術研討會

2013-08-28 來源:微波射頻網 我要評論(0) 字號:
主題活動: 功率放大器  AWR
主辦單位: 上海優創 AWR公司
舉辦時間: 2013年10月13日 - 10月14日
舉辦地址: 上海光大會展中心西館一層展廳
關注次數: 0
報名網站: http://www.imwexpo.com/siteengine.php?do=zh-cn/bmbg

活動介紹

IME/China第八屆上海國際微波技術論壇將于10月23、24日兩天在上海光大會展中心西館一層展廳舉行。論壇吸引了來自射頻微波/天線/雷達/專家、研發工程師、技術經理、采購人員參加。

每年論壇都會吸引微波各領域的領先企業創新產品的發布,在本次論壇上您將看到來自AWR公司——全球射頻/微波電子設計自動化(EDA)工具的領先供應商與行業領跑者,Mr. Milton Lien (大中華區技術經理) 做主題為“在MWO中進行GaN微波單片集成電路和離散功率放大器設計”專題演講。

演講公司:AWR
主講人:Milton Lien
職務:大中華區技術經理

演講主題(中/英文):
在MWO中進行GaN微波單片集成電路和離散功率放大器設計
GaN MMIC and discrete PA design in MWO

會議概要:

會議提出了GaN世界各地R&D和生產的介紹、GaN物理/設備結構、GaN器件大信號模型和一些Cree離散和UMS單片的例子。許多研究計劃由軍事、政府組織和美國、日本和歐洲的公司機構資助。它告知了觀眾與GaAs成熟的技術不同,GaN仍然是非常熱門的R&D發展中。GaN HEMT的二維電子氣有著高電子遷移率,擊穿電場和每瓦特高峰功率下低電容特性。它使需要高電壓的擺幅的應用可以有新的放大器的架構。GaN設備供應商提供的高品質大信號模型包含所有晶體管電流和寄生電容的非線性。這些模型允許設計師充滿信心地設計增益、噪升指數、IP3、飽和功率、PAE等。UMS單片和Cree離散到480W的設計例子也會在這次演講中展現。

屆時,歡迎射頻、微波和毫米波設計應用領域,手機,衛星通信系統和其他無線通信電子產品的設計者參會。

關于AWR
AWR公司是全球射頻/微波電子設計自動化(EDA)工具的領先供應商與行業領跑者,其EDA產品廣泛用于手機,衛星通信系統和其他無線通信電子產品的設計與仿真。應用AWR產品進行設計,工程師可以快速開發出高技術含量,穩定可靠的新產品,大幅提高設計效率,降低成本。AWR公司軟件主要為射頻集成電路(RFIC),多芯片組件(MCM),含有高頻無線電路及系統的印刷電路板(PCB)及光電市場所應用。AWR公司提供了一套完整的EDA軟件解決方案,真正簡化了產品的概念,仿真到生產的整個流程。AWR公司也就產品庫的建立和設計方法提供咨詢服務。

關于IME/China2013展會及技術論壇
IME/China第八屆上海國際微波及天線展覽會及技術論壇將于10月23至25日在上海光大會展中心舉行。作為中國乃至亞洲地區微波及天線技術領域規模最大的國際盛會,IME/China展出規模逐年擴大,觀眾穩步增長,國內外業界巨頭竟相參與。同期舉辦的第八屆微波技術論壇旨在推廣射頻微波與應用的最新發展趨勢,吸引了來自射頻微波/天線/雷達/專家、研發工程師、技術經理、采購人員參加。

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