2013石墨烯國(guó)際研討會(huì)
| 主辦單位： | 經(jīng)濟(jì)部技術(shù)處 |
| 承辦單位： | 工業(yè)技術(shù)研究院機(jī)械與系統(tǒng)研究所/產(chǎn)業(yè)學(xué)院合辦 |
| 展會(huì)日期： | 2013年11月4日-11月5日 |
| 舉辦地址： | 臺(tái)灣新竹縣竹東鎮(zhèn)中興路四段195號(hào)(中興院區(qū)) 22館機(jī)械所第一會(huì)議室 |
| 關(guān)注次數(shù)： | 0 |
| 官方網(wǎng)站： | http://college.itri.org.tw/edm/D1/009/07/edm.html |
工研院將于2013年11月4至11月5日開(kāi)辦“2013石墨烯國(guó)際研討會(huì)”，特別邀請(qǐng)歐盟石墨烯計(jì)劃主持人-英國(guó)劍橋大學(xué)教授John Robertson、美國(guó)休斯敦大學(xué)教授Shin-Shem Pei、德國(guó)斯圖加特-弗勞恩霍夫研究所Siegmar Roth、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所及國(guó)內(nèi)工研院、臺(tái)灣大學(xué)、清華大學(xué)、交通大學(xué)、長(zhǎng)庚大學(xué)等知名專家為大家分享石墨烯最前瞻的技術(shù)與應(yīng)用。
2004年第一個(gè)孤立石墨烯發(fā)現(xiàn)后迄今已有九載，目前制作石墨烯技術(shù)，在膜方面已能直接成長(zhǎng)石墨烯膜于絕緣基材上；在粉方面已可穩(wěn)定生產(chǎn)制作表面無(wú)官能基，且層數(shù)少于三層之石墨烯粉。這些研究突破有助于石墨烯在機(jī)械、電機(jī)、電子、通訊、光電、生醫(yī)及能源等領(lǐng)域的應(yīng)用。
歡迎對(duì)石墨烯研究有興趣者、石墨烯研究與應(yīng)用的相關(guān)人士與業(yè)界、制作石墨烯之設(shè)備與制程的相關(guān)業(yè)界，機(jī)會(huì)難得歡迎踴躍參加。
1、主辦：
委辦單位：經(jīng)濟(jì)部技術(shù)處
執(zhí)行單位：工業(yè)技術(shù)研究院機(jī)械與系統(tǒng)研究所/產(chǎn)業(yè)學(xué)院合辦
Organizer：Ministry of Economic Affairs
Co-organizer：Industrial Technology Research Institute
2、簡(jiǎn)章
時(shí)間：102年11月4及5日08:30～17:30
地點(diǎn)：新竹縣竹東鎮(zhèn)中興路四段195號(hào)(中興院區(qū)) 22館機(jī)械所第一會(huì)議室
Date：Nov. 4 to Nov. 5, 2013
Time：8:30AM～17:30PM
Venue：International Conference Room, Building 22 Industrial Technology Research Institute No.195, Sec. 4, Zhongxing Rd., Zhudong Township, Hsinchu County 310, Taiwan (R.O.C.)
邀請(qǐng)對(duì)象
1. 對(duì)石墨烯研究有興趣者。
2. 石墨烯研究與應(yīng)用的相關(guān)人士與業(yè)界。
3. 制作石墨烯之設(shè)備與制程的相關(guān)業(yè)界。
課程定價(jià)
每人NT5,000元整(含稅) (精致茶點(diǎn)、午餐)
會(huì)員或早鳥可享NT4,500元/人
三人團(tuán)報(bào)可享NT4,000元/人
學(xué)生報(bào)名附上學(xué)生證復(fù)印件可享NT4,000元/人
※本研討會(huì)費(fèi)用不包含講義印刷費(fèi)，為尊重講師知識(shí)產(chǎn)權(quán)及(或)其他權(quán)利之情事，將依據(jù)講師意愿免費(fèi)提供紙本講義
聯(lián)系人:蘇小姐(02)-2370-1111 分機(jī)313、江小姐(02)-2370-1111 分機(jī)310
3、議程
2004年第一個(gè)孤立石墨烯發(fā)現(xiàn)后迄今已有九載，目前制作石墨烯技術(shù)，在膜方面:已能直接成長(zhǎng)石墨烯膜于絕緣基材上；在粉方面，已可穩(wěn)定生產(chǎn)制作表面無(wú)官能基且層數(shù)少于三層之石墨烯粉。這些研究突破有助于石墨烯在機(jī)械、電機(jī)、電子、通訊、光電、生醫(yī)及能源等領(lǐng)域的應(yīng)用。本研討會(huì)將邀請(qǐng)海內(nèi)外學(xué)者專家演講石墨烯之基礎(chǔ)、分析、設(shè)備、制程、及應(yīng)用。There have been nine years since the discovery of the first isolated graphene. Currently therer are two respects in technology of graphene manufacturing. Firstly, in the form of film, graphene can be grown directly on insulator substrate. Secondly, in the form of powder, graphene can be stably produced with less than three layers without functional group on the surface. These research breakthroughs help to develop the applications of graphene in mechanical, electric, electronic, communication, photoelectric, biomedical and energy fileds. We will invite international and domestic scholars and experts to speak about the fundamentals, analysis, equipments, manufacturing processes, and application of graphene.
| Time | Program | Speaker | |
| 11/ 4 (Mon) | 08:30～08:50 | Registration | |
| 08:50～09:00 | Opening | ITRI MSL General Director Dr. S. H. Chang 工研院機(jī)械所所長(zhǎng) 張所鋐 | |
| 09:00～09:40 | CVD Graphene and its Applications | Univ. Cambridge Prof. John Robertson 英國(guó)劍橋大學(xué)工程學(xué)系 | |
| 09:40～10:20 | Transparent Conducting Films: Graphene versus Nanotubes | Fraunhofer Stuttgart Dr.Siegmar Roth 斯圖加特-弗勞恩霍夫研究所 | |
| 10:20～10:40 | Coffee Break | ||
| 10:40～11:20 | Graphenetronics: from growth to application | NTHU EE Pro. P. W. Chiu 清華大學(xué)電子所教授 邱博文 | |
| 11:20~12:00 | Properties of individual dopants and atomic mechanism of phase transition between metallic and semiconducting MoS2 single-layers | AIST Dr. Y.C.Lin 產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所 | |
| 12:00～13:00 | Lunch Time | ||
| 13:00～13:40 | Graphene nanosheets as electrode material for energy storage. | BUCT MSE Prof. H. H. Song 北京化工大學(xué)材料系教授 宋懷河 | |
| 13:40～14:20 | electronic property investigation of graphene for electronic applications | NCTU EP Prof. W. B. Jian 交通大學(xué)電物系教授 簡(jiǎn)紋賓 | |
| 14:20～14:40 | Coffee Break | ||
| 14:40～15:20 | The Development of sp2 Nanocarbons: from Carbon Nanotubes, Graphene, to Graphene Nanoribbons | CGU Prof. C. L. Sun 長(zhǎng)庚大學(xué)化材系教授 孫嘉良 | |
| 15:20～16:00 | Directly Growing Graphene Technology | ITRI MSL Dr. K. P. Huang 工研院機(jī)械所項(xiàng)目經(jīng)理 黃昆平 | |
| Time | Program | Speaker | |
| 11/ 5 (Tue) | 08:30～09:00 | Registration | |
| 09:00～09:40 | Scalable Graphenetronics and Beyond | Univ. Housten Prof. Shin-Shem Pei 美國(guó)休斯敦大學(xué)電資系教授 白先慎 | |
| 09:40～10:20 | Application of Graphene to Transistors and Interconnects for Future LSIs | AIST Dr. Shintaro Sato 產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所 | |
| 10:20～10:40 | Coffee Break | ||
| 10:40～11:20 | High-Quality Graphene Synthesis by Plasma Technique | AIST Dr. Masataka Hasegawa 產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所 | |
| 11:20~12:00 | The use of 2D materials in optoelectronic devices. | NTU PO Prof. J. H. He 臺(tái)灣大學(xué)光電所教授 何志浩 | |
| 12:00～13:00 | Lunch Time | ||
| 13:00～13:40 | Preparation and Characterization of Graphene-based Electrode Materials for Supercapacitors | NTHU CE Prof. C. C. Ma 清華大學(xué)化工系教授 馬振基 | |
| 13:40～14:20 | Synthesis of graphene for flexible transparent conductive film and electromagnetic interference shielding composites | NTHU MSE Prof. N. H. Tai 清華大學(xué)材料系教授 戴念華 | |
| 14:20～14:40 | Coffee Break | ||
| 14:40～15:20 | Cs corrected STEM/EELS analysis of Carbon-based materials | ITRI MCL Dr. S. C. Lo 工研院材化所研究主任 羅圣全 | |
| 15:20～16:00 | |||
※以上內(nèi)容若因不可抗力因素，主辦單位保留變更議程及講師之權(quán)利
※為尊重講師知識(shí)產(chǎn)權(quán)及(或)其他權(quán)利之情事，本研討會(huì)將依據(jù)講師意愿提供紙本講義
※本研討會(huì)不提供同步口譯服務(wù)
※本研討會(huì)特別聘請(qǐng)歐盟石墨烯計(jì)劃主持人Prof. John Robertson及美國(guó)、德國(guó)、英國(guó)、日本各國(guó)專家與您共襄盛舉!!
4、報(bào)名
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