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全新的GaN場效應晶體管、放大器及開關助力系統工程師減少射頻電路板空間與系統常用功率

2012-11-22 我要評論(0) 字號:
主題資源: 晶體管  放大器  射頻開關
資料語言: 英文
資料類別: PDF文檔
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更新時間: 2012-12-25 17:16:34
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全新的GaN場效應晶體管、放大器及開關助力系統工程師減少射頻電路板空間與系統常用功率

資料簡介

Ever-increasing demands for faster product launch times, higher performance, lower part counts and reduced costs create RF system design challenges. This paper focuses on how the latest gallium nitride (GaN) products, specifically discrete transistors, amplifiers and switches, offer design engineers enhanced flexibility and performance options by reducing RF board space and system prime power requirements.  

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