LDMOS是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管3倍的駐波比，能在較高的反射功率下運行而沒有破壞LDMOS設(shè)備;它較能承受輸入信號的過激勵和適合發(fā)射射頻信號，因為它有高級的瞬時峰值功率。LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化。

一、LDMOS器件電學特性在線測試

二、LDMOS器件負載牽引阻抗參數(shù)測試

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