• 標(biāo)準(zhǔn)編號：SJ 50033.52-1994
• 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范
• 行業(yè)分類：電子標(biāo)準(zhǔn)(SJ)
• 中標(biāo)分類：技術(shù)管理(M01)
• ICS分類：－
• 標(biāo)準(zhǔn)簡介：本規(guī)范規(guī)定了ＣＳ０５２９型砷化鎵微波功率場效應(yīng)（以下簡稱器件）的詳細(xì)要求。
• 英文名稱：Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor
• 發(fā)布部門：中華人民共和國電子工業(yè)部
• 發(fā)布日期：1994-09-30
• 實(shí)施日期：1994-12-01
• 首發(fā)日期：－
• 提出單位：－
• 歸口單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
• 主管部門：－
• 起草單位：電子工業(yè)部第五十五研究所
• 起草人：黃玉英、李祖華、王長福
• 計劃單號：－
• 頁數(shù)：13頁
• 出版社：中國電子工業(yè)出版社
• 出版日期：1994-12-01

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