• 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 21039.1-2007
• 標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分：微波二極管和晶體管 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范
• 行業(yè)分類：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB)
• 中標(biāo)分類：半導(dǎo)體二極管(L41)
• ICS分類：31.080.30
• 標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本部分等同采用IEC 60747-4-1：2000《半導(dǎo)體器件 分立器件 第4-1部分：微波二極管和晶體管 微波場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范》。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一，具體內(nèi)容包括：機(jī)械說(shuō)明；簡(jiǎn)要說(shuō)明；質(zhì)量評(píng)定類別；極限值；電特性；標(biāo)志；訂貨資料；試驗(yàn)條件和簡(jiǎn)要要求等。
• 英文名稱：Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification
• 發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
• 發(fā)布日期：2007-06-29
• 實(shí)施日期：2007-11-01
• 首發(fā)日期：2007-06-29
• 提出單位：信息產(chǎn)業(yè)部
• 歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體分立器件標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)
• 主管部門：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）
• 起草單位：中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
• 起草人：羅發(fā)明、劉春勛
• 計(jì)劃單號(hào)：20030156-T-339
• 頁(yè)數(shù)：平裝16開(kāi) 頁(yè)數(shù)：14, 字?jǐn)?shù)：22千字
• 出版社：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
• 出版日期：2007-11-01 

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