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本書從嶄新的視角給出模擬CMOS電路設(shè)計的折中和優(yōu)化方法， 提出了反型系數(shù)的概念，推出采用反型系數(shù)、漏極電流和溝道長度作為器件和電路設(shè)計的三個選項的設(shè)計方法。全書分為兩部分，第一部分深入、細致地研究了三個選項對器件、基本電路各種性能的影響；對于諸如速度飽和、垂直電場遷移率減小、漏致勢壘降低等短溝道效應(yīng)以及熱噪聲、閃爍噪聲和失配等高階效應(yīng)對器件和電路性能的影響給出較為深入、詳細的介紹；在給出由基本物理概念推導得出公式的同時，本書常會給出適合于手工計算的簡單表達式， 以及設(shè)計選項對性能影響的變化趨勢，并配以預(yù)測或?qū)崪y的圖表。第二部分采用CMOS工藝結(jié)合典型電路（運算跨導放大器和微功耗， 低噪聲前置放大器）設(shè)計進行實例介紹，給出了各種情況下電路優(yōu)化設(shè)計的結(jié)果和相應(yīng)的分析。其中，值得一提的是本書介紹了一種采用模擬CMOS設(shè)計、折中和優(yōu)化電子數(shù)據(jù)表的設(shè)計方法。采用該方法， 設(shè)計者可以通過調(diào)整MOS器件的漏極電流，反型系數(shù)和溝道長度， 對模擬CMOS電路進行快速的初始優(yōu)化，并觀察所得到器件和完整電路的性能。這種設(shè)計方法在設(shè)計之初就為設(shè)計者提供了一種設(shè)計直覺和今后優(yōu)化的方向。

第1章 緒論
　　1.1 模擬CMOS電路設(shè)計中折中與優(yōu)化的重要性
　　1.2 本書適用范圍：業(yè)界設(shè)計者和大學生
　　1.3 本書的組織和概述
　　1.4 本書的全部或選擇性閱讀
　　1.5 工藝實例和技術(shù)擴展
　　1.6 方法的局限性
　　1.7 鄭重聲明
第一部分 MOS器件性能， 模擬CMOS設(shè)計中的折中與優(yōu)化
　第2章 從弱到強反型層的MOS器件設(shè)計
　　2.1 引言
　　2.2 與雙極型晶體管相比MOS設(shè)計的復雜性
　　2.3 雙極型晶體管的集電極電流和跨導
　　2.4 MOS器件的漏極電流和跨導
　　2.5 MOS器件的漏-源電導
　　2.6 模擬CMOS電子設(shè)計自動化工具和設(shè)計方法
　　參考文獻
　第3章 MOS性能與漏極電流， 反型系數(shù)和溝道長度的關(guān)系
　　3.1 引言
　　3.2 在模擬CMOS設(shè)計中選擇漏極電流， 反型系數(shù)和溝道長度的優(yōu)勢
　　3.3 實例工藝的參數(shù)
　　3.4 襯底系數(shù)和反型系數(shù)
　　3.5 溫度效應(yīng)
　　3.6 尺寸關(guān)系
　　3.7 漏極電流和偏置電壓
　　3.8 小信號參數(shù)和本征電壓增益
　　3.9 電容和帶寬
　　3.10噪聲
　　3.11失配
　　3.12泄漏電流
　　參考文獻
　第4章 MOS性能折中， 差分對和電流鏡的設(shè)計
　　4.1 引言
　　4.2 性能趨勢
　　4.3 性能折中
　　4.4 用模擬CMOS設(shè)計、折中與優(yōu)化電子數(shù)據(jù)表設(shè)計差分對和電流鏡
　　參考文獻
第二部分 模擬CMOS設(shè)計優(yōu)化的電路設(shè)計實例
　第5章 CMOS運算跨導放大器的直流、平衡和交流性能的優(yōu)化設(shè)計
　　5.1 引言
　　5.2 電路描述
　　5.3 電路分析和性能優(yōu)化
　　5.4 簡單OTA的設(shè)計優(yōu)化及性能結(jié)果
　　5.5 共源共柵OTA的設(shè)計優(yōu)化和性能結(jié)果
　　5.6 設(shè)計指導和優(yōu)化的預(yù)估精度
　　參考文獻
　第6章 低熱噪聲和閃爍噪聲的微功耗CMOS前置放大器的優(yōu)化設(shè)計
　　6.1 引言
　　6.2 橫向雙極型晶體管在低閃爍噪聲中的應(yīng)用
　　6.3 前置放大器的噪聲性能測量
　　6.4 已報道的微功耗， 低噪聲CMOS前置放大器
　　6.5 MOS噪聲與偏置依從電壓
　　6.6 MOS閃爍噪聲參數(shù)的提取
　　6.7 差分輸入前置放大器
　　6.8 單端輸入前置放大器
　　6.9 設(shè)計指導和優(yōu)化時預(yù)估的準確性
　　6.10低噪聲設(shè)計方法小結(jié)及相應(yīng)的低電壓工藝的挑戰(zhàn)
　　參考文獻
　第7章 小尺寸CMOS工藝和未來工藝的擴展優(yōu)化方法
　　7.1 引言
　　7.2 用反型系數(shù)實現(xiàn)CMOS工藝的無關(guān)性并擴展至更小尺寸工藝中
　　7.3 考慮柵極泄漏電流影響的增強優(yōu)化方法
　　7.4 在非CMOS工藝中采用反型系數(shù)度量
　　參考文獻
　　附錄A 模擬CMOS設(shè)計、折中和優(yōu)化電子數(shù)據(jù)表
　　中英文術(shù)語對照