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本書介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計遇到的新問題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書由淺入深，理論與實際結(jié)合，提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計實例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準、開關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和沒相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號電路的版圖與封裝。

作者簡介
中文版前言
譯者序
序
致謝
第1章 模擬電路設(shè)計緒論
1.1 研究模擬電路的重要性
1.2 研究模擬集成電路的重要性
1.3 研究CMOS模擬集成電路的重要性
1.4 本書的特點
1.5 電路設(shè)計的一般概念
習(xí)題
第2章 MOS器件物理基礎(chǔ)
2.1 基本概念
2.2 MOS的I/V特性
2.3 二級效應(yīng)
2.4 MOS器件模型
習(xí)題
第3章 單級放大器
3.1 基本概念
3.2 共源級
3.3 源跟隨器
3.4 共柵級
3.5 共源共柵級
3.6 器件模型的選擇
習(xí)題
第4章 差動放大器
4.1 單端與差動的工作方式
4.2 基本差動對
4.3 共模響應(yīng)
4.4 MOS為負載的差動對
4.5 吉爾伯特單元
習(xí)題
第5章 無源與有源電流鏡
5.1 基本電流鏡
5.2 共源共柵電源鏡
5.3 有源電流鏡
習(xí)題
第6章 放大器的頻率特性
第7章 噪聲
第8章 反饋
第9章 運算放大器
第10章 穩(wěn)定性與頻率補償
第11章 帶隙基準
第12章 開關(guān)電容電路
第13章 非線性與不匹配
第14章 振蕩器
第15章 鎖相環(huán)
第16章 短溝道效應(yīng)與器件模型
第17章 CMOS工藝技術(shù)
第18章 版圖與封裝
英漢詞匯對照