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定價: | ¥ 98 | ||
作者: | 張玉興,陳會,文繼國 | ||
出版: | 電子工業(yè)出版社 | ||
書號: | 9787121154614 | ||
語言: | 簡體中文 | ||
日期: | 2013-05-17 | ||
版次: | 1 | 頁數(shù): | 621 |
開本: | 16開 | 查看: | 0次 |

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《射頻與微波晶體管功率放大器工程》主要闡述射頻和微波晶體管功率放大器工程設(shè)計的基本理論、方法、設(shè)計技巧和工程實(shí)現(xiàn)。書中給出了較多的工程設(shè)計的實(shí)例和實(shí)現(xiàn)時需要注意的工程方法,為電子工程師提供了幾乎所有的手段,以提高設(shè)計效率,縮短設(shè)計周期。書中不僅注重功率放大器的基本理論、傳統(tǒng)的設(shè)計方法,還涉及最新的設(shè)計理念和分析方法——異相功率放大器、功率放大器中的記憶效應(yīng)。本書既側(cè)重理論分析又重視工程實(shí)踐,尤其適合從事射頻、微波晶體管功率放大器設(shè)計工程師閱讀。
《射頻與微波晶體管功率放大器工程》的每一章都可以獨(dú)立成立,如第7章、第8章和第9章,因此相關(guān)內(nèi)容也可以作為有關(guān)專業(yè)的研究生教材或參考文獻(xiàn)。
《射頻與微波晶體管功率放大器工程》的每一章都可以獨(dú)立成立,如第7章、第8章和第9章,因此相關(guān)內(nèi)容也可以作為有關(guān)專業(yè)的研究生教材或參考文獻(xiàn)。
《射頻與微波晶體管功率放大器工程》
第1章緒論
1.1現(xiàn)代數(shù)字通信體制的特點(diǎn)
1.1.1功率放大器在無線通信系統(tǒng)中的地位
1.1.2功率放大器波形質(zhì)量的測量
1.1.3功率效率的測量
1.1.4功率放大器線性化技術(shù)和效率提高技術(shù)
1.2射頻與微波固體功率放大器的特點(diǎn)
1.3射頻和微波功率放大器的分析方法綜述
1.3.1線性近似化理論
1.3.2弱非線性器件的分析方法
1.3.3強(qiáng)非線性效應(yīng)下的近似分析方法
1.3.4計算機(jī)輔助設(shè)計(cad)和非線性器件模型
1.3.5負(fù)載牽引設(shè)計方法
1.4射頻和微波固體功率放大器中的新穎技術(shù)
1.4.1功率放大器的線性化技術(shù)
1.4.2效率及線性化增強(qiáng)技術(shù)
第2章射頻和微波晶體管功率放大器基礎(chǔ)
2.1射頻和微波功率晶體管的直流參數(shù)和功能參數(shù)
2.1.1直流參數(shù)
第1章緒論
1.1現(xiàn)代數(shù)字通信體制的特點(diǎn)
1.1.1功率放大器在無線通信系統(tǒng)中的地位
1.1.2功率放大器波形質(zhì)量的測量
1.1.3功率效率的測量
1.1.4功率放大器線性化技術(shù)和效率提高技術(shù)
1.2射頻與微波固體功率放大器的特點(diǎn)
1.3射頻和微波功率放大器的分析方法綜述
1.3.1線性近似化理論
1.3.2弱非線性器件的分析方法
1.3.3強(qiáng)非線性效應(yīng)下的近似分析方法
1.3.4計算機(jī)輔助設(shè)計(cad)和非線性器件模型
1.3.5負(fù)載牽引設(shè)計方法
1.4射頻和微波固體功率放大器中的新穎技術(shù)
1.4.1功率放大器的線性化技術(shù)
1.4.2效率及線性化增強(qiáng)技術(shù)
第2章射頻和微波晶體管功率放大器基礎(chǔ)
2.1射頻和微波功率晶體管的直流參數(shù)和功能參數(shù)
2.1.1直流參數(shù)
.2.1.2極限參數(shù)和熱特性
2.1.3功率晶體管的功能特性
2.1.4低功率晶體管的功能特性
2.1.5線性模塊的功能特性
2.1.6功率模塊的功能特性
2.2射頻和微波晶體管應(yīng)用基礎(chǔ)
2.2.1低功率晶體管的選擇
2.2.2高功率晶體管的選擇
2.2.3晶體管選擇時的帶寬考慮
2.2.4 mosfet與雙極晶體管的選擇
2.2.5選擇功率晶體管的其他考慮因素
2.3 fet和雙極晶體管的參數(shù)與電路比較
2.3.1晶體管類型
2.3.2參數(shù)的比較
2.3.3電路組態(tài)
2.4影響功率放大器設(shè)計的其他因素
2.4.1工作類別
2.4.2調(diào)制類型
2.4.3線性工作偏置的考慮
2.4.4脈沖模式工作的晶體管
2.5 ldmos功率晶體管及其應(yīng)用
2.5.1 ldmosfet與垂直mosfet的比較
2.5.2 ldmos器件設(shè)計
2.5.3 ldmos的特性
2.5.4 fet的一些近似設(shè)計考慮
2.5.5 ldmos晶體管在現(xiàn)代移動蜂窩技術(shù)中的應(yīng)用
2.5.6射頻功率放大器的特性
2.5.7線性度考慮
2.5.8 w-cdma功率放大器設(shè)計實(shí)例
2.5.9 cdma放大器設(shè)計和優(yōu)化的電路技術(shù)
2.5.10 ldmos晶體管的模型
2.6射頻和微波功率放大器的附加電路
2.6.1固體功率放大器的vswr保護(hù)
2.6.2功率放大器負(fù)載失配量的在線測試電路
2.6.3輸出濾波
2.7寬帶阻抗匹配的基本概念
2.7.1寬帶電路介紹
2.7.2傳統(tǒng)的rf變壓器阻抗變換器
2.7.3絞線rf變壓器阻抗變換器
2.7.4傳輸線rf變壓器阻抗變換器
2.7.5等延遲傳輸線rf變壓器阻抗變換器
2.8射頻和微波功率放大器的總體設(shè)計思想
2.8.1單端、平衡(并聯(lián))和推挽功率放大器
2.8.2單端rf功率放大器設(shè)計思想
2.8.3雙極晶體管并聯(lián)功率放大器
2.8.4 mosfet晶體管并聯(lián)功率放大器
2.8.5推挽功率放大器
2.8.6功率晶體管的阻抗和放大器的匹配網(wǎng)絡(luò)
2.8.7功率放大器系統(tǒng)的級間匹配電路
2.8.8單級設(shè)計實(shí)例
2.9計算機(jī)輔助設(shè)計程序
2.9.1概況
2.9.2 motorola阻抗匹配程序的內(nèi)部
第3章射頻和微波功率放大器的結(jié)構(gòu)技術(shù)及可靠性技術(shù)
3.1rf功率晶體管的封裝類型
3.2封裝對發(fā)射極/源極阻抗的影響
3.3射頻和微波功率放大器印制電路板的布局
3.4射頻和微波元器件安排
3.4.1高功率晶體管的安裝
3.4.2低功率晶體管的安裝
3.4.3射頻功率模塊的安裝
3.5射頻和微波功率放大器的可靠性考慮
3.5.1芯片溫度及其對可靠性的影響
3.5.2其他可靠性考慮
第4章線性功率放大器的設(shè)計和功率放大器的線性化技術(shù)
4.1非線性電路基本概念與定義
4.1.1線性與非線性
4.1.2頻率的產(chǎn)生
4.1.3非線性現(xiàn)象
4.1.4放大器中的非線性現(xiàn)象
4.2線性晶體管功率放大器的設(shè)計
4.2.1 a類放大器和線性放大
4.2.2增益匹配和功率匹配
4.2.3負(fù)載牽引測量
4.2.4商用負(fù)載牽引測量設(shè)備
4.2.5負(fù)載線理論
4.2.6封裝效應(yīng)和負(fù)載牽引理論
4.2.7用cad程序作負(fù)載牽引等功率線
4.2.8 a類功率放大器設(shè)計的實(shí)際例子
4.2.9總結(jié)
4.3功率放大器的線性化技術(shù)
4.3.1負(fù)反饋線性化技術(shù)
4.3.2預(yù)失真技術(shù)
4.3.3前饋技術(shù)
第5章高效率射頻和微波固體功率放大器設(shè)計
5.1功率放大器減小導(dǎo)通角的波形分析
5.2功率放大器輸出端口
5.3減小導(dǎo)通角工作模式分析
5.3.1 a類工作條件
5.3.2 ab類工作條件
5.3.3 b類工作狀態(tài)
5.3.4 c類工作狀態(tài)
5.3.5晶體管的開啟(膝)電壓的影響
5.3.6功率轉(zhuǎn)移特性和線性度
5.3.7對輸入驅(qū)動的要求
5.3.8本節(jié)小結(jié)
5.4降低導(dǎo)通角高效率功率放大器的匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計
5.4.1低通匹配網(wǎng)絡(luò)
5.4.2傳輸線網(wǎng)絡(luò)
5.4.3諧波短路
5.4.4普通的mesfet晶體管
5.4.5 850mhz 2w b類功率放大器設(shè)計實(shí)例
5.4.6π形功率匹配網(wǎng)絡(luò)
5.4.7功率放大器中的π形匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計和分析
5.4.8使用負(fù)載牽引法的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計和分析
5.5射頻和微波功率放大器中的過驅(qū)動和限制效應(yīng)
5.5.1過驅(qū)動a類功率放大器
5.5.2過驅(qū)動減小導(dǎo)通角模式的功率放大器
5.5.3正弦波的矩形化:f類和d類工作狀態(tài)
5.5.4實(shí)際的f類功率放大器
5.5.5具有諧波短路的過驅(qū)動功率放大器
5.6射頻應(yīng)用的開關(guān)模式放大器
5.6.1簡單的(射頻應(yīng)用)開關(guān)模式放大器
5.6.2調(diào)諧開關(guān)模功率放大器
5.6.3開關(guān)模d類功率放大器
5.6.4開關(guān)模e類功率放大器
第6章射頻和微波功率放大器的電路技術(shù)
6.1推挽放大器
6.2平衡功率放大器
6.3射頻和微波功率放大器中的頻率補(bǔ)償和負(fù)反饋
6.3.1頻率補(bǔ)償
6.3.2負(fù)反饋
第7章功率合成與分配技術(shù)
7.1概述
7.1.1合成概念的演變
7.1.2合成的基本原理
7.1.3合成的網(wǎng)絡(luò)特性
7.2功率合成器/分配器的類型
7.2.1諧振和非諧振腔體合成器/分配器
7.2.2非諧振的n路合成器
7.2.3空間功率合成器
7.3功率合成器/分配器的分析方法
7.3.1傳輸線合成器的分析
7.3.2平面二維功率合成結(jié)構(gòu)的分析
7.3.3波導(dǎo)和腔體合成器的分析
7.3.4空間功率合成結(jié)構(gòu)的分析
7.4常規(guī)功率合成與分配技術(shù)
7.4.1 wilkinson功率合成器/分配器
7.4.2耦合線定向耦合器
7.4.3微波混合橋
7.4.4同軸電纜變換器和合成器
7.4.5平行耦合線(雙絞線)及同軸線阻抗變換器和平衡-不平衡變換器
7.5新型功率合成與分配技術(shù)
7.5.1基于dgs結(jié)構(gòu)的不等分功率合成技術(shù)
7.5.2基于多層結(jié)構(gòu)的小型化超寬帶合成技術(shù)
7.5.3任意雙頻段功率合成與分配技術(shù)
7.6波導(dǎo)空間功率合成技術(shù)
7.6.1概述
7.6.2擴(kuò)展同軸波導(dǎo)內(nèi)空間功率合成技術(shù)
7.6.3徑向波導(dǎo)空間功率合成技術(shù)
7.6.4基片集成波導(dǎo)空間功率合成技術(shù)
7.7大功率合成技術(shù)簡介
7.7.1傳輸線的功率容量
7.7.2大功率合成器的設(shè)計實(shí)例
7.8小結(jié)
第8章射頻和微波功率放大器中的記憶效應(yīng)和失真
8.1介紹
8.1.1本章的目的
8.1.2線性化和記憶效應(yīng)
8.1.3本章的主要內(nèi)容
8.2電路理論和方法
8.2.1電系統(tǒng)的分類
8.2.2非線性系統(tǒng)中的頻譜計算
8.2.3無記憶非線性系統(tǒng)中的頻譜再生
8.2.4非線性效應(yīng)與信號帶寬的關(guān)系
8.2.5非線性系統(tǒng)分析
8.2.6小結(jié)
8.2.7需記住的要點(diǎn)
8.3射頻功率放大器中的記憶效應(yīng)
8.3.1效率
8.3.2線性化
8.3.3電記憶效應(yīng)
8.3.4熱記憶效應(yīng)
8.3.5幅度域效應(yīng)
8.3.6總結(jié)
8.3.7記憶要點(diǎn)
8.4 volterra模型
8.4.1非線性建模
8.4.2非線性i—v和q—v特性
8.4.3共射bjt/hbt模型
8.4.4在bjt共射放大器中的im3
8.4.5 mesfet建模及分析
8.4.6小結(jié)
8.4.7記憶要點(diǎn)
8.5 volterra模型的特性描述
8.5.1擬合多項式模型
8.5.2自熱效應(yīng)
8.5.3直流 i—v 特性
8.5.4交流特性描述步驟
8.5.5脈沖s參數(shù)測量
8.5.6封裝效應(yīng)的去除
8.5.7小信號參數(shù)的計算
8.5.8擬合法交流測量
8.5.9 1w bjt的非線性模型
8.5.10 1w mesfet 的非線性模型
8.5.11 30w ldmos的非線性模型
8.5.12小結(jié)
8.5.13記憶要點(diǎn)
8.6仿真及測量記憶效應(yīng)
8.6.1仿真記憶效應(yīng)
8.6.2記憶效應(yīng)的測量
8.6.3記憶效應(yīng)與線性化
8.6.4小結(jié)
8.6.5記憶要點(diǎn)
8.7記憶效應(yīng)的抵消
8.7.1包絡(luò)濾波法
8.7.2阻抗優(yōu)化
8.7.3包絡(luò)注入
8.7.4小結(jié)
8.7.5記憶要點(diǎn)
第9章異相射頻與微波功率放大器
9.1異相微波功率放大器介紹
9.1.1從歷史角度來看異相放大器
9.1.2異相放大理論的介紹
9.2反相功率放大系統(tǒng)的線性性能
9.2.1介紹
9.2.2數(shù)字調(diào)制技術(shù)
9.2.3數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的基帶濾波
9.2.4異相放大器信號分量的分離
9.2.5路徑不均衡及其對線性度的影響
9.2.6正交調(diào)制器誤差對線性度的影響
9.2.7 scs量化誤差對于異相系統(tǒng)的影響
9.2.8重構(gòu)濾波器和dsp抽樣率對線性度的影響
9.2.9總結(jié)
9.3異相放大器中降低路徑失配的技術(shù)
9.3.1簡介
9.3.2數(shù)據(jù)傳輸中路徑失配誤差的校正方案
9.3.3寬帶應(yīng)用中的失配校正方法
9.3.4 vco驅(qū)動合成
9.4異相功率放大器中的功率合成及效率增強(qiáng)技術(shù)
9.4.1介紹
9.4.2異相放大器中的功率合成技術(shù)
9.4.3異相系統(tǒng)的放大器選擇
9.4.4利用a、b、c類放大器設(shè)計異相放大器
9.4.5 chireix功率合成技術(shù)
9.4.6開關(guān)模式放大器(d類和e類)的功率合成器的設(shè)計
9.4.7在異相功率放大器中使用有損耗的功率合成器
9.4.8輸出功率的概率分布及其對效率帶來的影響
9.4.9異相放大器中的功率回收
9.5混合型功率合成器輸出的資用功率
9.6任意二極管模型的回收效率和電壓駐波比
第10章通信系統(tǒng)中的功率放大器
10.1 kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù)
10.2包絡(luò)跟蹤
10.3異相功率放大器
10.4 doherty功率放大器方案
10.5開關(guān)模和雙途徑功率放大器
10.6前饋線性化技術(shù)
10.7預(yù)失真線性化技術(shù)
10.8手持機(jī)應(yīng)用的單片cmos和hbt功率放大器
附錄
附錄a volterra 分析基礎(chǔ)
附錄b截斷誤差
附錄c平方非線性級聯(lián)時im3的公式
附錄d測量系統(tǒng)的有關(guān)問題
參考文獻(xiàn)
2.1.3功率晶體管的功能特性
2.1.4低功率晶體管的功能特性
2.1.5線性模塊的功能特性
2.1.6功率模塊的功能特性
2.2射頻和微波晶體管應(yīng)用基礎(chǔ)
2.2.1低功率晶體管的選擇
2.2.2高功率晶體管的選擇
2.2.3晶體管選擇時的帶寬考慮
2.2.4 mosfet與雙極晶體管的選擇
2.2.5選擇功率晶體管的其他考慮因素
2.3 fet和雙極晶體管的參數(shù)與電路比較
2.3.1晶體管類型
2.3.2參數(shù)的比較
2.3.3電路組態(tài)
2.4影響功率放大器設(shè)計的其他因素
2.4.1工作類別
2.4.2調(diào)制類型
2.4.3線性工作偏置的考慮
2.4.4脈沖模式工作的晶體管
2.5 ldmos功率晶體管及其應(yīng)用
2.5.1 ldmosfet與垂直mosfet的比較
2.5.2 ldmos器件設(shè)計
2.5.3 ldmos的特性
2.5.4 fet的一些近似設(shè)計考慮
2.5.5 ldmos晶體管在現(xiàn)代移動蜂窩技術(shù)中的應(yīng)用
2.5.6射頻功率放大器的特性
2.5.7線性度考慮
2.5.8 w-cdma功率放大器設(shè)計實(shí)例
2.5.9 cdma放大器設(shè)計和優(yōu)化的電路技術(shù)
2.5.10 ldmos晶體管的模型
2.6射頻和微波功率放大器的附加電路
2.6.1固體功率放大器的vswr保護(hù)
2.6.2功率放大器負(fù)載失配量的在線測試電路
2.6.3輸出濾波
2.7寬帶阻抗匹配的基本概念
2.7.1寬帶電路介紹
2.7.2傳統(tǒng)的rf變壓器阻抗變換器
2.7.3絞線rf變壓器阻抗變換器
2.7.4傳輸線rf變壓器阻抗變換器
2.7.5等延遲傳輸線rf變壓器阻抗變換器
2.8射頻和微波功率放大器的總體設(shè)計思想
2.8.1單端、平衡(并聯(lián))和推挽功率放大器
2.8.2單端rf功率放大器設(shè)計思想
2.8.3雙極晶體管并聯(lián)功率放大器
2.8.4 mosfet晶體管并聯(lián)功率放大器
2.8.5推挽功率放大器
2.8.6功率晶體管的阻抗和放大器的匹配網(wǎng)絡(luò)
2.8.7功率放大器系統(tǒng)的級間匹配電路
2.8.8單級設(shè)計實(shí)例
2.9計算機(jī)輔助設(shè)計程序
2.9.1概況
2.9.2 motorola阻抗匹配程序的內(nèi)部
第3章射頻和微波功率放大器的結(jié)構(gòu)技術(shù)及可靠性技術(shù)
3.1rf功率晶體管的封裝類型
3.2封裝對發(fā)射極/源極阻抗的影響
3.3射頻和微波功率放大器印制電路板的布局
3.4射頻和微波元器件安排
3.4.1高功率晶體管的安裝
3.4.2低功率晶體管的安裝
3.4.3射頻功率模塊的安裝
3.5射頻和微波功率放大器的可靠性考慮
3.5.1芯片溫度及其對可靠性的影響
3.5.2其他可靠性考慮
第4章線性功率放大器的設(shè)計和功率放大器的線性化技術(shù)
4.1非線性電路基本概念與定義
4.1.1線性與非線性
4.1.2頻率的產(chǎn)生
4.1.3非線性現(xiàn)象
4.1.4放大器中的非線性現(xiàn)象
4.2線性晶體管功率放大器的設(shè)計
4.2.1 a類放大器和線性放大
4.2.2增益匹配和功率匹配
4.2.3負(fù)載牽引測量
4.2.4商用負(fù)載牽引測量設(shè)備
4.2.5負(fù)載線理論
4.2.6封裝效應(yīng)和負(fù)載牽引理論
4.2.7用cad程序作負(fù)載牽引等功率線
4.2.8 a類功率放大器設(shè)計的實(shí)際例子
4.2.9總結(jié)
4.3功率放大器的線性化技術(shù)
4.3.1負(fù)反饋線性化技術(shù)
4.3.2預(yù)失真技術(shù)
4.3.3前饋技術(shù)
第5章高效率射頻和微波固體功率放大器設(shè)計
5.1功率放大器減小導(dǎo)通角的波形分析
5.2功率放大器輸出端口
5.3減小導(dǎo)通角工作模式分析
5.3.1 a類工作條件
5.3.2 ab類工作條件
5.3.3 b類工作狀態(tài)
5.3.4 c類工作狀態(tài)
5.3.5晶體管的開啟(膝)電壓的影響
5.3.6功率轉(zhuǎn)移特性和線性度
5.3.7對輸入驅(qū)動的要求
5.3.8本節(jié)小結(jié)
5.4降低導(dǎo)通角高效率功率放大器的匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計
5.4.1低通匹配網(wǎng)絡(luò)
5.4.2傳輸線網(wǎng)絡(luò)
5.4.3諧波短路
5.4.4普通的mesfet晶體管
5.4.5 850mhz 2w b類功率放大器設(shè)計實(shí)例
5.4.6π形功率匹配網(wǎng)絡(luò)
5.4.7功率放大器中的π形匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計和分析
5.4.8使用負(fù)載牽引法的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計和分析
5.5射頻和微波功率放大器中的過驅(qū)動和限制效應(yīng)
5.5.1過驅(qū)動a類功率放大器
5.5.2過驅(qū)動減小導(dǎo)通角模式的功率放大器
5.5.3正弦波的矩形化:f類和d類工作狀態(tài)
5.5.4實(shí)際的f類功率放大器
5.5.5具有諧波短路的過驅(qū)動功率放大器
5.6射頻應(yīng)用的開關(guān)模式放大器
5.6.1簡單的(射頻應(yīng)用)開關(guān)模式放大器
5.6.2調(diào)諧開關(guān)模功率放大器
5.6.3開關(guān)模d類功率放大器
5.6.4開關(guān)模e類功率放大器
第6章射頻和微波功率放大器的電路技術(shù)
6.1推挽放大器
6.2平衡功率放大器
6.3射頻和微波功率放大器中的頻率補(bǔ)償和負(fù)反饋
6.3.1頻率補(bǔ)償
6.3.2負(fù)反饋
第7章功率合成與分配技術(shù)
7.1概述
7.1.1合成概念的演變
7.1.2合成的基本原理
7.1.3合成的網(wǎng)絡(luò)特性
7.2功率合成器/分配器的類型
7.2.1諧振和非諧振腔體合成器/分配器
7.2.2非諧振的n路合成器
7.2.3空間功率合成器
7.3功率合成器/分配器的分析方法
7.3.1傳輸線合成器的分析
7.3.2平面二維功率合成結(jié)構(gòu)的分析
7.3.3波導(dǎo)和腔體合成器的分析
7.3.4空間功率合成結(jié)構(gòu)的分析
7.4常規(guī)功率合成與分配技術(shù)
7.4.1 wilkinson功率合成器/分配器
7.4.2耦合線定向耦合器
7.4.3微波混合橋
7.4.4同軸電纜變換器和合成器
7.4.5平行耦合線(雙絞線)及同軸線阻抗變換器和平衡-不平衡變換器
7.5新型功率合成與分配技術(shù)
7.5.1基于dgs結(jié)構(gòu)的不等分功率合成技術(shù)
7.5.2基于多層結(jié)構(gòu)的小型化超寬帶合成技術(shù)
7.5.3任意雙頻段功率合成與分配技術(shù)
7.6波導(dǎo)空間功率合成技術(shù)
7.6.1概述
7.6.2擴(kuò)展同軸波導(dǎo)內(nèi)空間功率合成技術(shù)
7.6.3徑向波導(dǎo)空間功率合成技術(shù)
7.6.4基片集成波導(dǎo)空間功率合成技術(shù)
7.7大功率合成技術(shù)簡介
7.7.1傳輸線的功率容量
7.7.2大功率合成器的設(shè)計實(shí)例
7.8小結(jié)
第8章射頻和微波功率放大器中的記憶效應(yīng)和失真
8.1介紹
8.1.1本章的目的
8.1.2線性化和記憶效應(yīng)
8.1.3本章的主要內(nèi)容
8.2電路理論和方法
8.2.1電系統(tǒng)的分類
8.2.2非線性系統(tǒng)中的頻譜計算
8.2.3無記憶非線性系統(tǒng)中的頻譜再生
8.2.4非線性效應(yīng)與信號帶寬的關(guān)系
8.2.5非線性系統(tǒng)分析
8.2.6小結(jié)
8.2.7需記住的要點(diǎn)
8.3射頻功率放大器中的記憶效應(yīng)
8.3.1效率
8.3.2線性化
8.3.3電記憶效應(yīng)
8.3.4熱記憶效應(yīng)
8.3.5幅度域效應(yīng)
8.3.6總結(jié)
8.3.7記憶要點(diǎn)
8.4 volterra模型
8.4.1非線性建模
8.4.2非線性i—v和q—v特性
8.4.3共射bjt/hbt模型
8.4.4在bjt共射放大器中的im3
8.4.5 mesfet建模及分析
8.4.6小結(jié)
8.4.7記憶要點(diǎn)
8.5 volterra模型的特性描述
8.5.1擬合多項式模型
8.5.2自熱效應(yīng)
8.5.3直流 i—v 特性
8.5.4交流特性描述步驟
8.5.5脈沖s參數(shù)測量
8.5.6封裝效應(yīng)的去除
8.5.7小信號參數(shù)的計算
8.5.8擬合法交流測量
8.5.9 1w bjt的非線性模型
8.5.10 1w mesfet 的非線性模型
8.5.11 30w ldmos的非線性模型
8.5.12小結(jié)
8.5.13記憶要點(diǎn)
8.6仿真及測量記憶效應(yīng)
8.6.1仿真記憶效應(yīng)
8.6.2記憶效應(yīng)的測量
8.6.3記憶效應(yīng)與線性化
8.6.4小結(jié)
8.6.5記憶要點(diǎn)
8.7記憶效應(yīng)的抵消
8.7.1包絡(luò)濾波法
8.7.2阻抗優(yōu)化
8.7.3包絡(luò)注入
8.7.4小結(jié)
8.7.5記憶要點(diǎn)
第9章異相射頻與微波功率放大器
9.1異相微波功率放大器介紹
9.1.1從歷史角度來看異相放大器
9.1.2異相放大理論的介紹
9.2反相功率放大系統(tǒng)的線性性能
9.2.1介紹
9.2.2數(shù)字調(diào)制技術(shù)
9.2.3數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的基帶濾波
9.2.4異相放大器信號分量的分離
9.2.5路徑不均衡及其對線性度的影響
9.2.6正交調(diào)制器誤差對線性度的影響
9.2.7 scs量化誤差對于異相系統(tǒng)的影響
9.2.8重構(gòu)濾波器和dsp抽樣率對線性度的影響
9.2.9總結(jié)
9.3異相放大器中降低路徑失配的技術(shù)
9.3.1簡介
9.3.2數(shù)據(jù)傳輸中路徑失配誤差的校正方案
9.3.3寬帶應(yīng)用中的失配校正方法
9.3.4 vco驅(qū)動合成
9.4異相功率放大器中的功率合成及效率增強(qiáng)技術(shù)
9.4.1介紹
9.4.2異相放大器中的功率合成技術(shù)
9.4.3異相系統(tǒng)的放大器選擇
9.4.4利用a、b、c類放大器設(shè)計異相放大器
9.4.5 chireix功率合成技術(shù)
9.4.6開關(guān)模式放大器(d類和e類)的功率合成器的設(shè)計
9.4.7在異相功率放大器中使用有損耗的功率合成器
9.4.8輸出功率的概率分布及其對效率帶來的影響
9.4.9異相放大器中的功率回收
9.5混合型功率合成器輸出的資用功率
9.6任意二極管模型的回收效率和電壓駐波比
第10章通信系統(tǒng)中的功率放大器
10.1 kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù)
10.2包絡(luò)跟蹤
10.3異相功率放大器
10.4 doherty功率放大器方案
10.5開關(guān)模和雙途徑功率放大器
10.6前饋線性化技術(shù)
10.7預(yù)失真線性化技術(shù)
10.8手持機(jī)應(yīng)用的單片cmos和hbt功率放大器
附錄
附錄a volterra 分析基礎(chǔ)
附錄b截斷誤差
附錄c平方非線性級聯(lián)時im3的公式
附錄d測量系統(tǒng)的有關(guān)問題
參考文獻(xiàn)